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71.
用密度泛函理论的B3LYP/6-31G方法和从头算的CIS/6-31G方法分别研究了6-羟基-5,12-萘并萘醌及其CH3, C6H5取代衍生物基态和激发态的异构化反应,.对反应势能面的研究发现, 在光异构化反应中化合物M21和M21、M31的基态和激发态虽然都可以构成四能级反应过程, 但由于M21异构化过程的活化能较高, 使其所构成的四能级反应难以进行, 这就从理论上解释了迁移基团为甲基的M21变色性能低于迁移基团为苯基的M31的实验结果. 此外用TD/B3LYP方法在溶剂存在下计算了上述化合物的紫外吸收光谱和荧光发射光谱, 计算所得到的光谱数据与实验值基本一致, 与光异构化反应的光激发条件相符合. 相似文献
72.
在针织绒线外观质量评定中,规定要对其条干、手感、外观和色泽四项指标由主义人员进行手感目测评定。本文运用模糊集合理论,对评定中具有模糊性的指标进行分析并加以综合评判,从而减少了在绒线外观质量评定中的主观片面性,使得评定更加合理。 相似文献
73.
A chaotic synchronized system of two coupled skew tent maps is discussed in this paper. The locally and globally riddled basins of the chaotic synchronized attractor are studied. It is found that there is a novel phenomenon in the local-global riddling bifurcation of the attractive basin of the chaotic synchronized attractor in some specific coupling intervals. The coupling parameter corresponding to the locally riddled basin has a single value which is embedded in the coupling parameter interval corresponding to the globally riddled basin, just like a breakpoint. Also, there is no relation between this phenomenon and the form of the chaotic synchronized attractor. This phenomenon is found analytically. We also try to explain it in a physical sense. It may be that the chaotic synchronized attractor is in the critical state, as it is infinitely close to the boundary of its attractive basin. We conjecture that this isolated critical value phenomenon will be common in a system with a chaotic attractor in the critical state, in spite of the system being discrete or differential. 相似文献
74.
以正硅酸乙脂为硅源,十六烷基三甲基溴化铵为结构模板剂,苯基三甲氧基硅烷为偶联剂,根据共水解缩聚一步合成了苯基官能化的介孔二氧化硅(C6H5-MCM-41).用小角X-射线衍射表征其孔道特征,红外光谱、元素分析和滴定法表征其有机键合量和表面覆盖率.结果表明,介孔二氧化硅具有MCM-41的孔道结构特征,苯基成功键合至孔道表面而形成无机/有机介孔复合体(C6H5-MCM-41),高键合量的苯基导致介孔二氧化硅具有很强的疏水性和热稳定性;与高效液相色谱联用,以C6H5-MCM-41为固相微萃取的涂层对苯并芘有较高的萃取效率. 相似文献
75.
重点介绍用电路仿真软件EWB的最新版本Multisim 10对单片机(51系列)做实时仿真;利用该软件可以随时随地进行单片机实验。这对单片机的学习和提高都有很大的帮助. 相似文献
76.
Authorware中随机出题积件的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
随着信息时代的到来,多媒体课件已经进入了课堂,越来越多的教师开始自己设计多媒体课件,为了方便其他教师更好的运用现代教育技术,笔者设计了一个提供随机抽题,自动判断的练习积件。 相似文献
77.
理论研究F2BN3多聚体的结构特色和热力学稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
在密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-311+G*水平上计算研究了叠氮二氟硼多聚体(F2BN3)n (n=1-4),获得了它们的结构和热力学性质,讨论了几何参数随聚合度的变化趋势。多聚体(F2BN3)2-4的优化构型均为由不同子体系的叠氮基α−N和B原子相连形成的环状结构。三聚体的船扭式构象比椅式构象的结合能低10.54 kJ•mol-1;四个新获得的四聚体的结合能差异较大,大小为3.1~45.65 kJ•mol-1。由焓变可知,单体形成二聚体在热力学上是不利的,而形成三聚体和四聚体在高达1200 K的温度下是有利的,同时分析比较了后续反应的热力学参数。 相似文献
78.
在水溶液中,Pd(Ⅱ)与溴化钾和四丁基溴化铵形成不溶于水的三元离子缔合物,此三元缔合物浮于盐水相上层形成界面清晰的液-固两相,当溶液中溴化钾和四丁基溴化铵的浓度分别为1.5×10-2mol·L-1和2.0×10-3tool·L-1、pHI时,Pd(Ⅱ)被定量浮选.Ce(Ⅳ)、Mo(Ⅵ)、Sn(Ⅳ)、Mg(Ⅱ)和Ti(Ⅳ)离子在该体系中不被浮选,实现了Pd(Ⅱ)与这些离子的定量分离,对合成水样中Pd(Ⅱ)的定量浮选分离测定,结果满意. 相似文献
79.
Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer 下载免费PDF全文
A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas (2DEG) mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm. 相似文献
80.
为克服灰土早期强度低、水稳定性差的弱点,将水泥作为一种活性材料掺入灰土中,对其进行改性研究.通过室内试验,对不同水泥掺入量的水泥灰土试样,进行了无侧限抗压强度和三轴不固结不排水压缩试验,并将试验结果与相同条件下的纯灰土进行了比较,得到了用水泥改性后灰土的一些特点. 相似文献