半微柱液相色谱分离与激光共振拉曼检测法分析果汁中的单糖

用４－二甲胺基偶氮苯－４′－磺酰肼作衍生化试剂将还原单糖衍生化后在内径１．５ｍｍ的半微柱上进行ＲＰ－ＨＰＬＣ分离。同时以４８８．０ｎｍ的Ａｒ＋激光作激发光源,在检测波数１１３６ｃｍ－１下测定衍生物的共振拉曼散射强度。方法具有很高的选择性和灵敏度,葡萄糖的检测下限为１０ｎｇ,可用于食品和生物样品中单糖的分析。     

碱敏损害是塔里木盆地东河塘构造东河1井减产的主因

利用岩相学分析手段,结合东河1井(塔里木盆地一口重要的油气发现井)减产的主要原因是高pH值盐水压井液造成的碱敏损害,揭示出:以高岭石为主,伊/蒙间层矿物含量低,间层比亦低的粘土矿物微结构属稳定类型,从而决定了储层潜在损害必以碱敏为主。这与实验和矿场试验结果恰好吻合。碱敏损害的机理包括:粘土断键处电性变化而使微结构失稳、阳离子交换、新矿物相生成等。由此提出了相应的缓解碱敏损害的技术措施。     

5-溴水杨基荧光酮-CTMAB荧光熄灭法测定铜的研究

研究在ＣＴＭＡＢ存在下,以５－溴水杨基荧光酮（５－ＢｒＳＡＦ）作为荧光试剂,用荧光熄灭法测定微量铜的新方法。详细研究了各种条件实验,反应的适宜酸度范围为ｐＨ＝４．４￣５．０,铜含量在０￣８．０μｇ／２５ｍＬ范围内呈线性关系,配合物的组成比为Ｃｕ：５－ＢｒＳＡＦ＝１：２,激光发波长为３６５ｎｍ,发射波长为５５０ｎｍ。方法的灵敏度高,检出度为２．４μｇ／Ｌ,用于化学试剂中微量铜的测定,结果令人满意。     

脉冲变压器磁芯重复频率复位电路的研究

为了提高脉冲变压器磁芯的利用率,需要给脉冲变压器施加退磁电流,使磁芯达到负向饱和点以获得最大的磁感应强度增量。研究了一种工作电压在几十伏的重复频率脉冲复位电路,产生反向脉冲电流,实现磁芯复位。研究了不同复位电容容量和充电电压条件下的磁芯复位效果,发现磁芯复位效果与复位电容所储存的能量具有正相关性。综合考虑脉冲变压器工作的要求,选用较低工作电压和较大复位电容容量的方案。对比分析了有无磁芯复位时硅钢带环形磁芯脉冲变压器的磁化特性,说明了加入复位电路的必要性。试验表明,该复位电路在50 Hz重复频率下可长时间稳定运行。     

表面活性剂增敏-火焰原子吸收光谱法测定板蓝根中微量锂

提出了表面活性剂增敏-火焰原子吸收光谱法测定微量锂。当表面活性剂OP存在时,锂的灵敏度提高35%,以氯化钾、硝酸作消电离剂、释放剂可消除基体物质的干扰,方法的线性范围为0.0~3.3 mg.L-1,特征灵敏度为0.028 mg.L-1/1%。用于中药板蓝根中微量锂的测定。     

“老师,我的解法比你的更好!”——记数学试卷讲评课上的一次风波

1背景描述新课程改革在广东已开展多年.2007年9月至今,我在自己任教的两个理科班开展了在高中数学教学中开展数学交流活动的实验研究.在这实验研究中,结合数学新课程改革理念,我不断加强理论学习、反思实验过程,收获颇多:学生的数学学习兴趣大     

热分析-质谱联用中逸出气体的脉冲热分析定量方法

利用脉冲热分析技术(PulseTA)实现对热分析-质谱(TA-MS)联用系统中逸出气体质谱信号的定量,考察了多种实验参数如不同载气流速、温度以及分析样品量等因素对热分析-质谱联用系统中逸出气体质谱信号定量校正的影响.实验结果表明,利用PulseTA对TA-MS联用系统中逸出气体CO2定量结果与理论计算值的相对误差约2.85%.同时利用TG-DTG-MS联用技术对氮化铟(InN)粉体的热分解行为进行研究,在氩气气氛下InN粉体的热分解过程一步完成,InN粉体在550～750℃得到相应的正离子质谱峰:N2+(m/z=28),所释放的N非常接近InN中N的理论含量.利用PulseTA技术检测到InN粉体受热分解放出氮气质量的实验测量值与理论计算值的相对误差约为1.36%.     

固体内任意元素的边界积分变分定理——任意裂纹开展时能量释放率的计算

根据[1～2]中提出的离散型固体力学及其变分原理的基础上,本文形成四种类型的元素的边界积分变分定理.当进行断裂分析时,可用它们计算沿裂纹边界法线方向的能量释解率;在有孔洞时,当在孔洞边界存在或不存在外力作用的情况下,可用它们计算沿孔洞边界法线方向的能量改变量;当进行离散分析时,也可以用来建立离散方程.以便求解待解函数值.并且由本文分析可知,在[3]中提出的J积分形式是不确切的.     

Growth of Semi-Insulating GaN by Using Two-Step AIN Buffer Layer

Semi-insulating GaN is grown by using a two-step A1N buffer layer by metalorganic chemical vapour deposition. The sheet resistance of as-grown semi-insulating GaN is dramatically increased to 10^13 Ω/sq by using two-step A1N buffer instead of the traditional low-temperature GaN buffer. The high sheet resistance of as-grown GaN over 10^13 Ω/sq is due to inserting an insulating buffer layer （two-step A1N buffer） between the high-temperature GaN layer and a sapphire substrate which blocks diffusion of oxygen and overcomes the weakness of generating high density carrier near interface of GaN and sapphire when a low-temperature GaN buffer is used. The result suggests that the high conductive feature of unintentionally doped GaN is mainly contributed from the highly conductive channel near interface between GaN and the sapphire substrate, which is indirectly manifested by room-temperature photoluminescence excited by an incident laser beam radiating on growth surface and on the substrate. The functions of the two-step A1N buffer layer in reducing screw dislocation and improving crystal quality of GaN are also discussed.