脉冲变压器磁芯重复频率复位电路的研究

为了提高脉冲变压器磁芯的利用率,需要给脉冲变压器施加退磁电流,使磁芯达到负向饱和点以获得最大的磁感应强度增量。研究了一种工作电压在几十伏的重复频率脉冲复位电路,产生反向脉冲电流,实现磁芯复位。研究了不同复位电容容量和充电电压条件下的磁芯复位效果,发现磁芯复位效果与复位电容所储存的能量具有正相关性。综合考虑脉冲变压器工作的要求,选用较低工作电压和较大复位电容容量的方案。对比分析了有无磁芯复位时硅钢带环形磁芯脉冲变压器的磁化特性,说明了加入复位电路的必要性。试验表明,该复位电路在50 Hz重复频率下可长时间稳定运行。     

磷酸氧钒钠纳米片的可控制备研究

基于磷酸氧钒钠的制备条件苛刻、颗粒粒径大和电导率差等问题,提出了一种制备纳米片状磷酸氧钒钠的新方法.通过特定条件下的表面能调控技术,实现纳米片状磷酸氧钒钠的可控制备.通过对不同生长时间的产物进行监测分析,研究了纳米片的形成过程.结合密度泛函理论(DFT)模拟计算,分析了片状磷酸氧钒钠的成片机理.调控不同硫酸根的添加量,研究了不同硫酸根条件下磷酸氧钒钠的微观形貌变化规律,验证了片状磷酸氧钒钠的成片机制.研究SO₄^2-离子在不同晶面的吸附改变了不同晶面的表面能大小,改变了磷酸氧钒钠晶核优势生长取向,实现了定向生长与自组装,最终获得了独特的纳米片状磷酸氧钒钠.由于独特的纳米片状微观形貌,所制备的片状磷酸氧钒钠具有更高的比表面积和压实密度.其比表面积为16.2m²/g,优于纳米颗粒状磷酸氧钒钠的4.3m²/g,压实密度达到1.86 g/cm³,高于颗粒状磷酸氧钒钠的1.77 g/cm³.此外,纳米片状磷酸氧钒钠还表现出优异的储钠性能.在0.1 C电流密度条件下,纳...     

航线维修任务人力资源多目标优化模型研究

本文通过确定航线维修组的最优数量,以达到优化航线维修时间与成本的目的。首先通过假设检验方法来分别确定配置优化模型的主要输入分布的规律,建立航线维修 的排队论模型,确定模型的关键指标;并在此基础上建立以最小维修成本、最小维修时间与最大化可用度为目标的多目标优化模型,通过NSGA Ⅱ（non-dominated sorting genetic algorithm）算法求解该模型。最后通过实际对比证明了模型对航线维修的时间、成本与可用度都有了不同程度的提高 ,结果表明,以排队论为基础建立航线维修组的优化配置模型具有合理性。     

碳化氨水解吸二氧化碳的研究

本文研究了碳化氨水的二氧化碳解吸过程。在温水(57—79℃)加热条件下,高碳化度氨水可选择性释出二氧化碳。实验湿壁塔的泡核解吸研究证明,平均过饱和度高于1.2即可获得明显的泡核解吸速率。且解吸速率随过饱和度和过饱和温距而增大,但解吸的选择性则随解吸速率增大而下降。本文并以低于沸点的膜状解吸实验,论证了二氧化碳的解吸机理,即解吸速率受NH_4HCO_3分解成NH_2COONH_4的反应强烈影响。并以此合理地解释了二氧化碳解吸在选择性和速率上呈现的特性。     

短脉冲强激光与固体靶作用在非相对论激光参数区的高次谐波

利用"表面电流"模型, 探讨了激光参数在非相对论区条件下激光与固体靶作用产生的高次谐波的若干性质, 也讨论了在非相对论区条件下劳仑兹力项的修正对高次谐波效率的影响.     

挫折应对自我监控探析

提高挫折应对质量,增强挫折承受能力,必须实现挫折应对自我监控,挫折应对自我监控包括自我监控知识,自我监控技能和自我监近体验,其中,自我监控技能分为：注意识别,评价,计划和调节,在挫折应地活动中,自我监控通过自我提问激活,从而对挫折应对过程（包括预先应对,事先应对和挫折应对）和挫折应对风格实施监控,挫折应对自我监控可以通过相应的训练得到改善。     

细粒子流化床料层内的电阻分布特性

采用自制的网络电阻测试装置及单片机数采系统，试验研究了细粒子流化床内的电阻分布特性，建立了一个描述料层空隙率分布的更接近于工程实际的ε－Ｈ模型。同时，提出了表述空隙率ε，碰撞频率ｆ与流化风速Ｖ关系的ε与ｆ－Ｖ推理模型。     

新型流化热处理电炉的试验研究

对一种新型流化床热处理电炉的流铧特性，热态升温特性及电特性进行了试验研究。试验结果表明；所设计的等压风圾利于降低布风板压降；适当配比的流化粒子可提高流化床的流化质量，整个热处理炉升温速度快，污染小，大幅度节电，具有较好的炉温均匀性和等电位性。append     

NH3和CO2的选择性分离——II. 连续吸收器研究和机理论证

用连续吸收器对 NH3 /CO2 摩尔比为 2的混合气体进行高气速选择性吸收研究 ,获得了良好的分离效果 ,选择性分离因子 S1为 3.2 5～ 8.2 3,S2 为 3.99～ 9.5 6;考察了孔口气速、孔径、液相氨浓度和插入深度等因素对选择性吸收的影响 ,结果表明 ,高气速、大孔径、浅插入和低氨浓度有利于氨的选择性吸收。数据整理证实了氨吸收的机理为气膜控制及 CO2 吸收为拟一级快反应的选择性吸收     

Elimination of Crystallographic Wing Tilt of Canti-Bridged Epitaxial Laterally Overgrown GaN Films by Optimizing Growth Procedure

Canti-bridged epitaxial lateral overgrowth （CBELO） of GaN is performed by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD） on maskless V-grooved sapphire substrates prepared by wet chemical etching with different mesa widths. The wing tilt usually observed in ELO is not found in the CBELO GaN with wide mesa widths, while it can be detected obviously in the GaN with narrow mesa widths. The wing tilt of CBELO GaN grown on a grooved sapphire substrate with narrow mesa can be controlled by adjusting the thickness of the nucleation layer. The dependence of the wing tilt on the nucleation layer thickness is studied. Cross-sectional scanning electron microscopy is used to characterize the geometry of the wing regions, and double crystal x-ray diffraction is used to analyse the structural characteristics and to measure the magnitude of the crystalline wing tilt. It is found that the crystalline wing tilt can be eliminated completely by first growth of a thin nucleation GaN layer then the CBELO GaN. Possible reason and the origin of the wing tilt in CBELO GaN films are also discussed.