Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate

Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge (100) substrate has been systemically investigated. A high quality GaAs/Ge interface and GaAs film on Ge have been achieved. High temperature annealing before GaAs deposition is found to be indispensable to avoid anti-phase domains. The quality of the GaAs film is found to strongly depend on the GaAs/Ge interface and the beginning of GaAs deposition. The reason why both high temperature annealing and GaAs growth temperature can affect epitaxial GaAs film quality is discussed. High quality In_0.17Ga_0.83As/GaAs strained quantum wells have also been achieved on a Ge substrate. Samples show flat surface morphology and narrow photoluminescence line width compared with the same structure sample grown on a GaAs substrate. These results indicate a large application potential for III--V compound semiconductor optoelectronic devices on Ge substrates.     

一种实验确定微电子器件灵敏体积的方法

介绍一种实验确定微电子器件单粒子翻转(SEU)灵敏体积(S_V)厚度d的方法.用从低到高不同能量的重离子辐照微电子器件, 测量其SEU截面随离子射程的变化曲线σ_seu(r), 用数学计算从σ_seu(r)和LET(r)函数提取d. 利用测得的d和σ_seu(LET), 经过模型计算可得到更精确的空间SEU率的预言值.     

Enhancement of Photoluminescence Intensity of GaInNAs/GaAs Quantum Wells by Two-Step Rapid Thermal Annealing

We investigate the effect of rapid thermal annealing on InGaNAs/GaAs quantum wells. At optimized annealing temperatures and times, the greatest enhancement of the photoluminescence intensity is obtained by a special two-step annealing process. To identify the mechanism affecting the material quality during the rapid thermal annealing, differential temperature analysis is applied, and temperature- and power-dependent photoluminescence is carried out on the samples annealed under different conditions. Our experiment reveals that some composition redistribution or other related ordering processes may occur in the quantum-well layer during annealing. Annealing at a lower temperature for a long time primarily can remove defects and dislocations while annealing at a higher temperature for a short time primarily homogenizes the composition in the quantum wells.     

采用多量子阱光折变器件的新型相干光通信接收方案探索

探索一种采用多量子阱光折变器件的新型相干空间光通信接收方案,和传统的差拍方案相比,可以省掉繁琐的中频跟踪电子学系统,并对大气光通信传输常见的波面畸变、偏振面无规律变化及多普勒频移等干扰有所抑制。也报道该方案零拍接收以及器件性能研究的实验结果。     

金纳米颗粒光散射提高InAs单量子点荧光提取效率

采用光学方法确定InAs/GaAs单量子点在样品外延面上的位置坐标, 利用AlAs牺牲层把含有量子点的GaAs层剥离并放置在含有金纳米颗粒或平整金膜上, 研究量子点周围环境不同对量子点自发辐射寿命及发光提取效率的影响. 实验结果显示, 剥离前后量子点发光寿命的变化小于13%, 含有金纳米颗粒的量子点发光强度是剥离前的7倍, 含有金属薄膜的量子点发光强度是剥离前的2倍. 分析表明在金纳米颗粒膜上的量子点荧光强度的增加主要来自于金纳米颗粒对量子点荧光的散射效应, 从而提高量子点发光的提取效率.     

低纬电离层人工调制所激发的ELF波射线追踪

通过大功率极低频(ELF)/甚低频(VLF)高频调幅波能有效地扰动低电离层电流, 形成等效的ELF/VLF电离层虚拟天线,辐射ELF/VLF波, 所辐射出的低频信号能够传播进入到磁层,对其传播特性的研究对于理解辐射带高能电子沉降具有重要意义.本文基于磁层射线追踪理论,通过数值模拟得到在低纬地区所激发出的ELF波在磁层中的射线路径,并对其特征进行分析.数值模拟结果表明, 从低纬激发的ELF波在南北半球来回弹跳,并逐渐传播到更远处,对于不同频率的ELF波, 频率越高,传播距离越近,频率越低,传播距离越远,在传播过程中, ELF波会逐渐倾向于在一个固定的磁层区域附近来回反射,在此过程中波法向角也逐渐变为90°,射线方向倾向于沿着背景磁场方向传播.     

风云四号B星干涉式红外探测仪发射前辐射定标

干涉式红外探测仪（GIIRS）是我国地球静止轨道气象卫星风云四号B星的主要载荷,可观测大气上行红外高光谱辐射,因此可应用于大气温湿度廓线反演和数值天气预报模型同化。为了预测GIIRS在发射后的工作性能,于发射前在地面试验室热真空环境中采用黑体定标试验的方法,对仪器辐射性能进行了测试,测试的性能包括仪器灵敏度、辐射定标精度和动态观测范围。其中,长波红外通道的噪声等效辐射方差低于0.5 mW/(m²·sr·cm^-1),中波红外通道的噪声等效辐射方差低于0.1 mW/(m²·sr·cm^-1),两者均达到灵敏度设计指标。在辐射定标方面,经过非线性校正,长波光谱的平均定标偏差从1 K减小到0.2 K,且在220～315 K观测范围内达到0.7 K的设计指标;仪器在中波通道观测低温目标时受噪声影响较大,但在260～315 K的动态范围内,定标偏差也能够达到0.7 K的指标要求。     

等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度,研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点PL光谱的增强效应.采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜,形成纳米金岛膜结构.实验发现,金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加,最大PL强度增加了约5倍,其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点PL光谱的收集效率.     

NiL(ClO4)2催化NaBrO3-MA-H3PO4体系振荡反应的研究

报道了一种反式Ｃｕｒｔｉｓ环的镍（Ⅱ）的配合物ＮｉＬ（ＣｌＯ４）２（Ｌ为２,４,４,９,１１,１１－六甲基－１,５,８,１２－四氮杂环十四－１,５,８,１２－四烯）催化ＮａＢｒＯ３－ＣＨ２（ＣＯＯＨ）２（ＭＡ）－Ｈ３ＰＯ４体系的化学振荡反应。测得该体系的振荡范围,研究、分析了各物种浓度、自由基抑制剂和还原剂、Ａｇ＾＋、Ｈｇ＾２＋以及温度对振荡反应的影响。结果表明Ｂｒ＾－起重要动力学控制作用,在反应     

溶液中N-乙酸基取代氮氧杂大环及其配合物稳定性研究

用pH电位滴定法在25℃,0.5mol·L~(-1)KNO_3水溶液中测定了三种大环化合物:H_2L~1(1,12-二氮杂-3,4:9,10-二苯并-5,8-二氧杂环十五烷-N,N＇-二乙酸);H_3L~2(1,12,15-三氮杂-3,4:9,10-二苯并-5,8-二氧杂环十七烷-N,N＇,N″-三乙酸)和H_2L~3(1,15-二氮杂-3,4:12,13-二苯并-5,8,11-三氧杂环十八烷-N,N′-二乙酸)的逐级质子化常数.又测定了它们与Cu~(2+)、Ni~(2+)、Pb~(2+)配合物的稳定常数,以及H_2L~3与镧系金属La~(3+)、Pr~(3+)、Nd~(3+)、Eu~(3+)、Sm~(3+)、Gd~(3+)、Dy~(3+)、Yb~(3+)配合物的稳定常数.讨论了三种大环化合物质子化的一般顺序及其与各种离子配位时稳定性选择规律.说明了影响配位稳定性的有关因素.