脱除高含盐原油中有机钙的试验研究

针对新疆部分高含盐原油 ,利用静态电脱盐试验仪对脱除原油中非水溶性有机钙盐进行了试验研究。试验选用EDTA ,SD0 1,SD0 2 ,SD0 3这 4种非含磷多元羧酸作为有机脱钙剂。考察结果表明 ,原油的 pH值对脱钙效果有一定的影响 ,当原油的 pH值为 6 .0～ 7.0时 ,脱钙效果最佳。采用适宜的脱钙剂 ,当剂钙比大于 3及原油pH值为6 .0～ 7.0时 ,可使脱钙率达 80 %以上 ,脱钙后原油的钙含量低于 5 μg/ g。 4种脱钙剂对镁、铁有不同程度的脱除效果 ,而对镍、钒的脱除无效     

铁路货物运输市场占有份额的分析与研究

近年来，随着市场经济体制的建立和逐步完善，给交通运输的各行各业提供了改革、发展的宽松环境，使交通运输业由“卖方市场”向“买方市场”转变的过程中有了长足的发展。但是相比之下，高速公路的大量兴建，国有公路干线的拓宽改建，民航线网的大幅扩展以及水运的掘起，使铁路运输业在市场竞争中无法发挥自身的优势，市场占有份额日益下滑。如何充分发挥铁路货运优势，重塑货物运输的“大动脉”、“主力军”形象，是铁路企业当前急需思考和研究的一个重要课题。本文从铁路货运及其它运输的发展状况进行分析，拟提出相应的政策与建议。l铁…     

加快进藏铁路建设步伐促进西部地区经济协调发展

加快进藏铁路建设步伐促进西部区域经济协调发展兰州铁道学院倪兰亭西藏自治区地处我国西南边　，地域辽阔，总面积１２０多万平方公里，约占全国的八分之一；人口２４０万人，藏族占９６％，是我国藏民族聚居地区。其南部与西部分别与缅甸、印度、不丹、锡金、尼泊尔及克...     

应用机电一体化技术改造普通车床的研究

数控车床具有加工精度高、质量稳定，生产效率高、适应性强等特点。因此它能较好地解决形状复杂、精密度高、批量小、零件多变的加工问题，使得机床柔性得以提高。但目前数控车床的价格较昂贵，而且我国还拥有大量的普通车床，对普通车床进行微机数控改造 ,既能增加车床智能、提高车床的使用价值，又能充分利用旧设备，节约费用。目前，普通车床的改造往往采用微机系统整机与原车床联接的方法，只对联接相关的机械部分进行改动，而对普通车床原有的执行传动机构不作改动或很少改动，因而执行传动机构往往难以适应微机数控系统的工作要求，影…     

高速摄影在脆性材料破裂试验中的应用

本文对受冲击的曲面玻璃发生破裂飞溅这一常见的现象,用E-10高速摄影机拍摄了破裂瞬间所发生的现象。通过慢放映,判读仪判读,研究了曲面玻璃破裂起始点、裂纹生成以及扩展的动态行为。判读计算了裂纹扩展速度,给出了碎片飞溅的轨迹。     

“门罗主义”再认识

拉丁美洲各国独立战争期间,美国对拉美各国的革命一直是保持看风使舵、从中渔利的态度.美国发表《门罗宣言》的真实目的是对付俄国、英国在拉美的扩张,拉美各国当时并未受到神圣同盟军事干涉的真正威胁.     

浅议如何加强宝中铁路沿线专用线的规划与建设

宝（鸡）中（卫）铁路东起陇海铁路的虢镇车站，经陕西省的平阳县、陇县、甘肃省的华亭县、安口镇、平凉县及宁夏自治区的固原县、同心县，在中卫境内的俞家滩跨黄河与包兰铁路的镇罗堡车站联结，复线引人迎水桥车站，全长4996公里（其中陕西省境内115．7公里，甘肃省境内96．l公里宁夏自治区境内2878公．di），该线于1995年6月8日建成通车并交铁路局临管（包括电气化）。该线贯通陕、甘、宁三省（区），沿线地区由于历史及自然条件等方面的原因，大多地区一直处于贫困状态，属全国“老、少、边、穷”地区，尤其是交通落后，是制约其经济发…     

基于小波变换的多分辨分布式滤波

用小波变换和多分辨分析的思想建立了一个最优和动态的多分辨分布式滤波算法。在离散小波变换的基础上，给出动态系统的描述，建立了基于小波变换最估和动态的多分辨分布式滤波融合算法。     

玻璃粉对混凝土酸侵蚀性能的影响

采用试验方法,研究了玻璃粉替代胶凝材料在不同掺量(0、5%、8%、15%)时对混凝土抗压强度和耐酸侵蚀性的影响。对比了各个试样在5%H2SO4溶液和5%CH3COOH溶液中腐蚀28 d后的质量亏损和抗压强度损失,并采用SEM分析了试样腐蚀后的表面形貌。结果表明,玻璃粉有利于提高混凝土的耐H2SO4和CH3COOH侵蚀性,耐CH3COOH侵蚀差于耐H2SO4腐蚀,H2SO4侵蚀后的试样表面形成了大量石膏,CH3COOH侵蚀后试样表面疏松并出现了大量孔洞和裂纹。当玻璃粉掺量为8%时,试样的耐H2SO4和CH3COOH侵蚀性最佳。     

Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature

This paper identifies the contributions of p-a-SiC:H layers and i-a-Si:H layers to the open circuit voltage of p-i-n type a-Si:H solar cells deposited at a low temperature of 125 C.We find that poor quality p-a-SiC:H films under regular conditions lead to a restriction of open circuit voltage although the band gap of the i-layer varies widely.A significant improvement in open circuit voltage has been obtained by using high quality p-a-SiC:H films optimized at the "low-power regime" under low silane flow rates and high hydrogen dilution conditions.