用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d₁=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d₂=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d₃=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。 关键词：     

用低能电子衍射研究清洁钛表面的原子结构

在Ti金属晶体的垂直表面方向上由于原子排布的三维周期被破坏后,金属键断裂电子发生弛豫形成新的表面势和偶极层,从而阻止了自由电子进入真空,同时加强了原子间结合力使表面原子层间距减小,称此现象为表面原子的弛豫。Farnsworth等和George等先后研究了清洁Ti(0001)表面和吸附N_2与O_2后的表面结构。Jona等详细地观测了Ti(0001)表面的LEED谱,并采用层-KKR(Korring-Kohn-Rostocker)法进行理论计算。但此法公式过繁计算工作量很大一般难实现。     

用能带理论研究GaAs(111)—(2×2)表面的原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的GaAs(111)—(2×2)表面的空位模型。发现第一层间距d_1=0.203±0.005A(收缩75％±0.005A),第二原子层间距d_2=2.71±0.04A(膨胀11％±0.04A)和第三层间距d_3=0.78±0.02A(收缩4.4％±0.02A)。对此结构,在表面的As—Ga键长l_(AS_1)-Ga_1=2.449±0.001A,As的背键长l_(AS_1)-Ga_2=2.450±0.002A,其键角(α)为120.06°±0.04°,而悬挂键P的角(β)为93.56°±0.03°。     

用低能电子衍射研究Cu（001）表面吸附碲的表面原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6％±0.007)。     

Si｛111｝的吸附表面结构

利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。     

晶体表面弛豫和重构的规律与机理

此文综述了原子、离子和金属晶体清洁表面的驰豫和重构的规律与机理。