面向知识经济时代的图书馆知识服务研究

文章探讨了知识服务的内涵、知识服务的特点、图书馆实现知识服务的途径以及采取的创新举措.     

大,小鼠代谢笼的优化设计

鼠代谢笼是生理、药理和营养等科学常用的实验装置，主要用来收集大、小白鼠排泄物。目前使用的鼠代谢笼在结构上主要包括圆形鼠笼、带孔笼底、三角漏斗、粪尿分离器、动物给食和饮水装置、支架等［１，２］。在实际应用中，我们发现原有的代谢笼在设计上不够完善，故对此...     

短额负蝗交尾,产卵与气候因子的关系

通过室内、外罩笼饲养及野外观察，发现短额负蝗（ＡｔｒａｃｔｏｍｏｒｐｈａｓｉｎｅｎｓｉｓＩ．Ｂｏｌ．）在太原地区８月上旬为羽化始盛期，中旬为盛期，羽化后６ｄ～１２ｄ开始交尾，交尾后７ｄ左右开始产卵。短额负蝗交尾、产卵与温度、光照强度及时间都有密切关系。交尾比较集中的温度是２２℃～３０℃，光照强度为４０ｌｘ～２０００ｌｘ，１ｄ内交尾比较集中的时间在１２时～１７时。产卵比较集中的温度是２５℃～２９℃，光照度为２２５ｌｘ～３０００ｌｘ，１天内集中产卵的时间在１３时～１６时。     

线性空间相关定理及维数公式的推广和应用（英文）

线性空间的相关定理及其公式对于解决诸多代数问题提供了有力的工具,该文将线性空间中的维数公式推广到一般矩阵上,利用推广的维数公式及相应的定理来证明Sylvester不等式、Frobenius不等式等一些重要的关于秩的命题.     

Visual FoxPro的案例教学方法在大学教学中的应用初探

介绍了在VFP教学中开展案例教学法的特点及重要性,并对其在VFP课程教学中的具体运用作了探索和研究。     

二次电池研究进展

能源的存储和利用是当今科学和技术发展中的重大课题之一,尤其是作为高效的电能/化学能转化装置的二次电池相关技术一直是科学家研究的热点领域。在此背景下,本文较为系统地介绍目前二次电池的重要研究进展,将从二次电池的发展历史引入,再到其相关的基础理论知识的介绍。随后较为详细地讨论当前不同体系的二次电池及相关应的关键材料的研究进展,涉及到锂离子电池、钠离子电池、钾离子电池、镁离子电池、锌离子电池、钙离子电池、铝离子电池、氟离子电池、氯离子电池、双离子电池、锂-硫(硒)电池、钠-硫(硒)电池、钾-硫(硒)电池、多价金属-硫基电池、锂-氧电池、钠-氧电池、钾-氧电池、多价金属-氧气电池、锂-溴(碘)电池、水系金属离子电池、光辅助电池、柔性电池、有机电池、金属-二氧化碳电池等。此外,也介绍了电池研究中常见的电极反应过程表征技术,包括冷冻电镜、透射电镜、同步辐射、原位谱学表征、磁性表征等。本文将有助于研究人员对二次电池进行全面系统的了解与把握,并为之后二次电池的研究提供很好的指导作用。     

基于共振波导光栅结构准连续域束缚态的低阈值纳米激光器的数值研究

纳米激光作为一种纳米级相干光源,是光电集成芯片的关键器件.激光器进一步小型化的阻碍在于随着激光器谐振腔体积的减小,其损耗迅速增大.连续域束缚态(bound states in the continuum,BICs)能有效降低全介质结构的辐射损耗.本文提出一种基于全介质共振波导光栅(resonant waveguide grating structures,RWGs)准BIC的纳米激光器,可有效降低纳米激光器的阈值.将传统两部分光栅转换为四部分光栅,可激发波导结构的准BIC模式.本文数值研究了该模式的受激辐射放大特性.结果表明:TE偏振光照射下,基于四部分光栅的RWG结构的纳米激光阈值比基于传统RWG结构的阈值低20.86%.TM偏振光照射时,阈值比传统RWG结构降低了3.3倍.而且TE偏振光照射时纳米激光的阈值比TM偏振光照射时阈值大约低一个数量级,这是因为TE偏振光照射时,结构的电场局域在波导层内,增强了光与增益材料的相互作用,从而降低了纳米激光的阈值.     

微米级双层复合结构的一步光刻制备技术

设计了两种具有不同参数的光刻掩模版,利用光刻技术制备了两种微米级双层复合结构。研究了曝光能量对凹形缺口深度的影响,同时采用有限差分时域法分析了掩模版曝光时的光场分布情况,阐明了微米级双层复合结构形成的物理机理。实验结果表明：通过调整曝光能量的大小,能够有效地控制凹形缺口的深度。对8μm厚的AZ9260光刻胶来说,不高于160 mJ/cm²的曝光能量是制备出微米级双层复合结构的关键。该技术在制备微米尺寸的分层器件方面有着潜在的应用前景。     

非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究

利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰.