STUDY ON THE OPTICAL PROPERTIES AND HYDROGEN CONTENT OF THE SILICON NITRIDE THIN FILM

The Si₃N₄ thin films have been manufactured by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition technology on the KBr and (111) monocrystal Si sub-strates, The infrared optical properties of the Si₃N₄ film have been studied by analysing its IR spectrum. The results show that the Si₃N₄ film can be used as an antireflexion and an-tireflectiug film of Si surface, The H content of Si₃N₄ thin film has been estimated from the infrared absorption area. It is obtained that the H content of the Si₃N₄ film deposited on the KBr substrate is lower than that deposited on Si substrate, and it derceases with increasing deposition temperature. The Raman spectra of the Si₃N₄ film deposited at 360℃ has also been measured.     

用微波ECR等离子体溅射法在蓝宝石(0112)晶面上生长ZnO薄膜的研究

蓝宝石上外延生长ZnO薄膜在表面波和声光器件中有重要的应用．用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法在蓝宝石(0112)晶面上外延生长了ZnO薄膜,膜无色透明,并且表面光滑,基片温度为380℃,为探索沉积工艺参数对薄膜结构的影响,用XRD对不同基片温度和沉积速率生长的ZnO薄膜进行了研究．     

ECR-PECVD制备Si3N4薄膜沉积工艺的研究

由偏心静电单探针诊断了电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积(ECR-PECVD)反应室内等离子体密度的空间分布规律．结果表明在轴向位置Z=50cm处,直径Φ12cm范围内等离子体密度分布非常均匀．分析了等离子体密度径向均匀性对沉积速率均匀性和薄膜厚度均匀性的影响．讨论了沉积制备一定薄膜厚度的Si₃N₄薄膜的工艺重复性．研究了各种沉积工艺参数与Si₃N₄薄膜沉积速率的相互关系．得到了ECR-PECVD技术在沉积薄膜时的工 关键词：     

用单片机控制的超短脉冲电火花光源

本文简要地介绍了利用８０３１单片机作为超短脉冲电火花光源控制部分的基本要求及其性能特点，给出了软硬件具体实现方法，对于实用性较强的定时和实时发光延时时间控制作了较为详细的分析。作为一种智能仪器，它实为纹影仪、阴影仪等其它光学仪器的理想配套产品，并可单独作为计时器或速度测量仪使用。     

氮化硅薄膜的微结构

利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si₃N₄薄膜的微结构.结果表明：在较低沉积温度下，ECR-PECVD制备的Si₃N₄薄膜是一种纳米α-Si₃N₄薄膜，其晶粒粒度在14—29nm间，而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si₃N₄在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理. 关键词：     

磁镜中晃荡电子形成熟垒的实验研究

本文在实验上研究了ＦＣＲＨ产生晃荡电子形成串级磁镜热垒的可行性，并对等离子体电位进行了测量，研究结果表明，ＥＣＲＨ产生晃荡电子形成热垒是成功的。     

热电子、双离子成分对离子漂移迴旋不稳定性的影响

分析了热电子、温(热)离子成分对离子漂移迴旋不稳定性的影响。给出了临界稳定热电子成分值α与温(热)离子成分值、离子温度比和离子抗磁漂移速度的关系;讨论了热电子、温(热),冷离子成分对不稳定性各谐频分支的影响;分析了热电子成分稳定作用的物理机制。     

感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰,ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200 W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射 关键词： 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN 微结构     

气体对介质阻挡放电激发XeCl*辐射的影响

在气体配比和气压易控制的小尺寸气体混合腔中．通过对混合气体Cl2／Xe进行参量(配比、气压)范围调节．研究了不同气体配比、气压下介质阻挡放电激发准分子XeCl*的辐射特性。结果表明．在一定放电功率下．合适的气体配比和气压能产生峰值辐射。对于放电管在气体比例pc12／p1在I．5％-4％范围内，放电形貌及准分子XeCl*辐射的强度和光谱特征表现出明显的差异。同比条件下．混合气体He／Cl2／Xe中放电产生的准分子辐射强度弱于混合气体Cl2／Xc。