BESⅢ主触发系统VME机箱快控制插件的设计

提出了“可预置计数限的计数逻辑”和“有暂停控制的双向计数器逻辑”,解决了VME总线主板所能处理的中断的频率与输入信号脉冲的频率不匹配的难题,消除了某些信号与系统时钟异步造成的准稳态;所设计的插件实现了VME总线程控流水线式发中断的功能．     

霸王鞭的化学成分研究

对采自云南西双版纳的霸王鞭(Euphorbia royleana)地上部分进行了化学成分研究.采用正、反相硅胶柱层析,凝胶柱层析及半制备HPLC等分离技术,对霸王鞭的正丁醇提取物进行分离纯化,得到了7个单体化合物.过1 H NMR和13 C NMR波谱数据分析及文献对照,其结构鉴定为4′-甲氧基槲皮素(1)、taxif...     

气膜抽吸与叶片前缘内部壁面射流的作用机制

为揭示气膜抽吸对壁面射流流动与换热的干涉效应,获得壁面射流冷却通道内的流动特性与换热特性,建立了涡轮叶片前缘带气膜抽吸的单通道壁面射流冷却计算模型。采用RANS方法,结合SST k-ω湍流模型,研究了气膜抽吸、射流雷诺数、气膜孔位置和数量等因素对壁面射流内部冷却特性的影响机制。结果表明：气膜抽吸会大幅提高流动结构的稳定性,气膜孔入口的分离涡则会显著提高孔口附近的换热系数;气膜抽吸引起壁面射流流量的降低不利于靶面下游的冷却,但滞止区和通道内的流动损失降低幅度大于气膜孔内的掺混损失,从而使整体流动损失系数降低了4.5%;射流雷诺数的增加会提高换热强度,但对流动结构几乎没有影响;单孔结构中,在前缘滞止线处开孔能够提供最高的气膜流量比,且对前缘内部靶面的冷却效果良好;多孔结构中,双气膜孔结构的流动损失最大,三气膜孔结构的流动损失和换热强度最为均衡。研究结果可为壁面射流冷却结构的气膜孔布置提供依据,为进一步提高壁面射流冷却结构的冷却效果提供参考。     

透平叶栅三维粘性气动反问题的控制理论方法

将基于控制理论的形状优化设计方法应用于粘性可压流动条件下的透平叶栅三维气动反设计,详细推导了三维N-S方程伴随系统的偏微分方程组及其各类边界条件.讨论了伴随系统的解的适定性条件,并由此给出应用N-S方程进行气动优化的目标函数的选取限制.研究了伴随方程的数值求解技术,给出敏感性导数的最终计算式,结合拟牛顿算法发展了三维透平叶栅粘性反问题的气动设计方法.     

圆孔衍射图样中央一定是亮斑吗?

研究了圆孔衍射图样的中央斑的规律 ,说明圆孔衍射图样中央不一定是亮斑。     

AR技术在科普教育活动中的研究应用

正0引言增强现实(augmented reality,AR)技术在各行各业的应用已如火如荼,在医疗、教育、建筑、军事、娱乐等行业,均可见AR技术的身影。但国内在AR教学应用方面例子尚少,国内教育主管部门也提出必要时可向国外借鉴。2016年广东科学中心利用中央引导地方科技发展专项资金建设了AR实验室,创新了STEAM(科学、技术、工程、艺术、数学)教     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1MeV中子注量为1×10¹⁴n/cm².测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×10¹²cm^–3·eV–1增大到了1.66×1014cm^–3·eV^–1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.     

双口网络噪声模型的系统理论及其应用

从放大器实际存在的时域原始噪声模型出发，推导出两个时域等效噪声模型，并由此扩展到频域，得到了相对应的几个功率谱噪声模型，从而系统地给出了双口网络噪声模型理论和一系列实用的计算公式．将这些理论应用到光纤通信接收机前置放大器的噪声计算上，用统一的方法，算出了光接收机ＢＪＴ和ＦＥＴ前置放大器的等效输入端噪声电压电流功率谱，供光接收机设计使用     

Unicore架构下的Dalvik虚拟机优化

基于Unicore架构,对Dalvik虚拟机进行了移植优化.通过分析Unicore架构下应用程序二进制接口与Dalvik虚拟机的平台相关性,设计实现了jniArgInfo变量字段的布局以及与Dalvik虚拟机平台相关的本地方法调用桥.在设计完成Unicore架构下的快速型解释器入口函数、别名寄存器、汇编宏定义以及汇编版本快速型解释器架构等组件的基础上,结合虚拟机快速型解释器的混合实现机制对Dalvik虚拟机进行了优化,并对优化后Dalvik虚拟机的兼容性、功能、性能进行了测试验证.实验结果表明,优化后的Dalvik虚拟机符合Android系统规范,虚拟机核心部件及Dalvik解释器性能稳定,与优化前相比,系统每秒执行的字节码数目提升达147%.与同类平台的对比测试结果验证了Dalvik虚拟机性能提升的合理性.     

氧化钛纳米陶瓷的制备及其结构与力学性能

为探讨在无压烧结过程中TiO2纳米陶瓷的致密化与晶粒长大的关系以及纳米陶瓷的结构对其力学性能的影响,采用溶胶一凝胶技术制备的不同颗粒粒径的TiO2纳米粉体经冷压成型后无压烧结TiO2纳米陶瓷.研究结果表明:利用相变辅助无压烧结方法在800℃烧结获得了晶粒粒径小于60 nm、相对密度超过95%的TiO2纳米块体陶瓷:当800℃以下烧结时,TiO2纳米陶瓷的相对密度随烧结温度的升高而快速增大,而TiO2纳米陶瓷的平均晶粒粒径随烧结温度升高则缓慢长大;当大于800℃的温度烧结时,TiO2纳米陶瓷的致密化加快,但陶瓷的晶粒粒径则快速长大.TiO2纳米陶瓷的显微硬度主要取决于TiO2纳米陶瓷的相对密度和平均晶粒粒径,即纳米氧化钛陶瓷的相对密度越大,晶粒粒径越小,则显微硬度越大.