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961.
该文利用密度泛函理论计算了石墨烯6×3×1单层分子中的电子传输特性.计算结果表明,Si掺杂位置不同,石墨烯的能带结构发生改变.然后沿锯齿型方向加电极电压0.5V,再分别沿锯齿型方向和扶手椅型方向进行掺杂,利用Dmol~3模块分析得到其传输特性曲线.计算结果表明,在掺杂原子均匀分布时,在其两端加正向电压和反向电压的情况下,电子传输相对较为稳定.当沿锯齿型方向和扶手椅型方向间隔掺杂时,电子反向传输浮动较大.并且发现在扶手椅型方向上掺入Si原子增多,则电子传输曲线峰值降低,符合欧姆定律的特性. 相似文献
962.
963.
CO在外电场下的分子特性和势能函数研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文选用B3LYP方法,在Aug-cc-pvtz基组水平上研究了不同外电场下CO分子基态几何结构,电荷布居,偶极矩,振动频率和能量.结果表明优化的结构与实验符合较好,随电场增加,CO分子键长增加,振动频率减弱,能量先增大后减小.偶极矩在数值上随反向电场增加而增加.用相同的方法和基组计算了不同外电场下CO分子的单点势能值,采用Morse势模型对无电场下势能曲线进行拟合,得到的数值与实验吻合.在外电场作用下,单点势能值获得的势能曲线低于无电场时的势能曲线. 相似文献
964.
本研究工作主要采用超声分子束、飞秒激光与飞行时间(TOF)质谱等实验技术相结合的方法研究了N_2和O_2分子在飞秒强激光场作用下的光电离.通过分析N_2和O_2分子的飞行时间质谱及碎片离子产额,得到了离子产额的激光强度依赖关系、激光极化效应和偏振度效应,并结合强场理论知识对光电离机制进行了细致地分析. 相似文献
965.
报道了环己烯(C6H10)分子2b和3a轨道电子动量谱的首次研究,并且给出了价轨道的电离能谱信息,实验在非共面对称几何条件下的能量多道型电子动量谱仪下完成,入射电子的能量为1200eV加结合能.通过Hartree-Fock和密度泛函方法计算得到了C6H10分子2b和3a轨道的动量谱,在动量大于0.25a.u.区域理论与实验结果符合较好,实验结果与理论计算相比在低动量端出现“上翘”的现象,这可能是由于分子的扭曲波效应引起的. 相似文献
966.
Luminescent Characteristics of Near Ultraviolet InGaN/GaN MQWs Grown on Grooved Sapphire Substrates Fabricated by Wet Chemical Etching
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InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) are grown on planar and maskless periodically grooved sapphires by metal organic vapour phase epitaxy (MOCVD). High-resolution x-ray rocking curves and transmission electron microscopy (TEM) are adopted to characterize the film quality. Compared with the MQWs grown on planar sapphire, the sample grown on grooved sapphire shows better crystalline quality: a remarkable reduction of dislocation densities is achieved. Meanwhile, the MQWs grown on grooved sapphire show two times larger PL intensity at room temperature. Temperature-dependent PL measurements are adopted to investigate the luminescence properties. The luminescence thermal quenching based on a fit to the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity over the measured temperature range suggests that the nonradiative recombination centres (NRCs) are greatly reduced for the sample grown on grooved sapphire. We assume that the reduction of dislocations which act as NRCs is the main reason for the sample grown on pattern sapphire having higher PL intensity. 相似文献
967.
用量子力学理论研究He-HD,HT, DT系统弹性和非弹性碰撞转动激发.当入射原子能为0.3 eV时, 用密耦方法计算了收敛的分波截面,用奥本-海默近似来决定He-HD, He-HT及He-DT相互作用势能面,对非对称替代分子与氦原子碰撞分波截面进行了仔细讨论和比较,并得到比较规律的变化结果. 相似文献
968.
970.
Experimental and calculated momentum densities for the complete valence orbitals of the antimicrobial agent diacetyl
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The first electronic structural study of the complete valence shell binding energy spectra of the antimicrobial agent diacetyl, encompassing both the outer and inner valence regions, is reported. The binding energy spectra as well as the individual orbital momentum profiles have been measured by using a high resolution (e, 2e) electron momentum spectrometer (EMS) at an impact energy of 1200eV plus the binding energy, and using symmetric noncoplanar kinematics. The experimental orbital electron momentum profiles are compared with self-consistent field (SCF) theoretical profiles calculated using the Hartree-Fock approximation and Density Functional theory predictions in the target Kohn-Sham approximation which includes some treatment of correlation via the exchange and correlation potentials with a range of basis sets. The pole strengths of the main ionization peaks from the inner valence orbitals are estimated. 相似文献