浅谈矿井胶带机变频调速系统设计

介绍了一种矿井胶带机变频调速系统的结构设计、变频器的选型计算、控制策略的具体实现及系统功能。实际运行表明，该系统控制的胶带机启动转矩大、电流冲击小、启动速度平稳、功率因数及运行效率高，大大降低了设备的维护量，节电效果明显。     

Mannich碱类苯并异噻唑啉酮化合物抑菌活性及构效关系研究

以1,2-苯并异噻唑啉-3-酮,取代苯胺和甲醛为原料一步法合成11个曼尼希碱类苯并异噻唑啉酮类衍生物。选取枯草芽孢杆菌、金黄色葡萄球菌、白色葡萄球菌、大肠杆菌、肺炎克雷伯菌和绿脓杆菌对化合物进行初步抑菌活性测试,结果表明合成化合物除对绿脓杆菌抑制效果稍差外,对其余测试菌种有非常好的生长抑制活性,MIC50介于4~16mg·mL~(-1)。采用Gaussian03半经验计算方法 AM1对分子几何构型进行全优化,计算得到量子化学参数和物理化学参数,针对枯草芽孢杆菌进行构效关系研究,结果表明当取代基为供电子取代基时,摩尔浓度的MIC50值和最低空轨道能级ELUMO、EL-H、LS-N、QN以及二面角D相关性显著,当取代基为氯、溴、硝基等吸电子取代基团时,摩尔浓度的MIC50值和分子体积显著相关。     

电子在硅掺杂石墨烯结构中的输运特性

该文利用密度泛函理论计算了石墨烯6×3×1单层分子中的电子传输特性.计算结果表明,Si掺杂位置不同,石墨烯的能带结构发生改变.然后沿锯齿型方向加电极电压0.5V,再分别沿锯齿型方向和扶手椅型方向进行掺杂,利用Dmol~3模块分析得到其传输特性曲线.计算结果表明,在掺杂原子均匀分布时,在其两端加正向电压和反向电压的情况下,电子传输相对较为稳定.当沿锯齿型方向和扶手椅型方向间隔掺杂时,电子反向传输浮动较大.并且发现在扶手椅型方向上掺入Si原子增多,则电子传输曲线峰值降低,符合欧姆定律的特性.     

超导重力仪用液氦恒温器研制

介绍了一套超导重力仪用液氦恒温器,包括技术指标要求、总体结构、关键技术、试验步骤及结果.恒温器液氦消耗量为0.8L/h,真空腔体内部温度稳定度为±5mK,低温下真空腔体真空度优于5×10-4pa,各参数均优于技术指标要求,完全满足超导重力仪工作环境要求.表明该设计方案是合理的,试验流程是正确的.     

CO在外电场下的分子特性和势能函数研究

本文选用B3LYP方法,在Aug-cc-pvtz基组水平上研究了不同外电场下CO分子基态几何结构,电荷布居,偶极矩,振动频率和能量.结果表明优化的结构与实验符合较好,随电场增加,CO分子键长增加,振动频率减弱,能量先增大后减小.偶极矩在数值上随反向电场增加而增加.用相同的方法和基组计算了不同外电场下CO分子的单点势能值,采用Morse势模型对无电场下势能曲线进行拟合,得到的数值与实验吻合.在外电场作用下,单点势能值获得的势能曲线低于无电场时的势能曲线.     

N2和O2分子的强场光电离

本研究工作主要采用超声分子束、飞秒激光与飞行时间(TOF)质谱等实验技术相结合的方法研究了N_2和O_2分子在飞秒强激光场作用下的光电离.通过分析N_2和O_2分子的飞行时间质谱及碎片离子产额,得到了离子产额的激光强度依赖关系、激光极化效应和偏振度效应,并结合强场理论知识对光电离机制进行了细致地分析.     

环己烯分子2b和3a轨道的电子动量谱学研究

报道了环己烯(C6H10)分子2b和3a轨道电子动量谱的首次研究,并且给出了价轨道的电离能谱信息,实验在非共面对称几何条件下的能量多道型电子动量谱仪下完成,入射电子的能量为1200eV加结合能.通过Hartree-Fock和密度泛函方法计算得到了C6H10分子2b和3a轨道的动量谱,在动量大于0.25a.u.区域理论与实验结果符合较好,实验结果与理论计算相比在低动量端出现“上翘”的现象,这可能是由于分子的扭曲波效应引起的.     

Luminescent Characteristics of Near Ultraviolet InGaN/GaN MQWs Grown on Grooved Sapphire Substrates Fabricated by Wet Chemical Etching

InGaN/GaN multiple quantum wells （MQWs） are grown on planar and maskless periodically grooved sapphires by metal organic vapour phase epitaxy （MOCVD）. High-resolution x-ray rocking curves and transmission electron microscopy （TEM） are adopted to characterize the film quality. Compared with the MQWs grown on planar sapphire, the sample grown on grooved sapphire shows better crystalline quality： a remarkable reduction of dislocation densities is achieved. Meanwhile, the MQWs grown on grooved sapphire show two times larger PL intensity at room temperature. Temperature-dependent PL measurements are adopted to investigate the luminescence properties. The luminescence thermal quenching based on a fit to the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity over the measured temperature range suggests that the nonradiative recombination centres （NRCs） are greatly reduced for the sample grown on grooved sapphire. We assume that the reduction of dislocations which act as NRCs is the main reason for the sample grown on pattern sapphire having higher PL intensity.     

He-HD(HT, DT)碰撞(E=0.3 eV)分波截面理论研究

用量子力学理论研究He-HD,HT, DT系统弹性和非弹性碰撞转动激发.当入射原子能为0.3 eV时, 用密耦方法计算了收敛的分波截面,用奥本-海默近似来决定He-HD, He-HT及He-DT相互作用势能面,对非对称替代分子与氦原子碰撞分波截面进行了仔细讨论和比较,并得到比较规律的变化结果.