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111.
以Clad芯材铝板(Al/Alloy/Al)为原材料,利用铝的阳极氧化技术制备出新型金属一体化阳极氧化-γAl2O3载体。并利用这种载体采用浸渍法制备了Pt/Al2O3/Alloy、Pd/Al2O3/Alloy及Pd-Pt/Al2O3/Alloy催化剂,考察了各催化剂在甲烷燃烧中的性能。结果表明:低温下(<500℃)Pt/Al2O3/Alloy催化剂活性较差,而在高温下(>700℃)Pd/Al2O3/Alloy催化剂容易失活。向Pd/Al2O3/Alloy催化剂中加入一定量的Pt后(Pd-Pt/Al2O3/Alloy),明显提高了PdO的分解温度,从而提高了催化剂的活性及稳定性。 相似文献
112.
本文依据裂纹沿渗碳层扩张时所特有的POP-in现象提出了一种评定渗碳层断裂韧性的新方法。研究表明:POP-in现象是渗碳层断裂韧性正梯度分布造成的;根据POP-in点处的载荷及相应的裂纹长度计算出的渗碳层KIC-x分布曲线是评定其断裂韧性的基础,而对渗碳层断裂韧性的客观评定需综合考虑断裂韧性沿渗层的分布及梯度分布 相似文献
113.
作为无机新材料的开发,近年来,我们系统地研究了Ln-Sb-S三元体系,先后合成了Ln8Sb8S21(Ln=La,Ce)、Ln3Sb3S10(Ln=La,Ce)、Ln3-xSbxS4(Ln=La,Ce,Sm)、Ln1-xSbxS2(Ln=Nd)和Ln3SbS6(Ln=Pr,Nd)等十余种新化合物的单晶。同时也注意到法国M.Pardo等人在报导LnOBiS2(Ln=La,Ce,Pr)型化合物时,曾提及LnOSbS2型化合物的存在,并给出了NdOSbS2的部分数据。 相似文献
114.
成功合成了二硫桥键相连的钴卟啉二聚体2Co。通过循环伏安电化学方法测试,在无水二氯甲烷溶剂中,钴卟啉二聚体展示了3个氧化和2个还原峰,表明此钴卟啉二聚体可以稳定多重负/正电荷。详细研究了在酸性条件下的钴卟啉二聚体的电催化氧还原性能。钴卟啉二聚体的电催化氧还原显示了高稳定性和高活性,测得转移电子数为3.5~3.6之间。钴卟啉二聚体的电催化氧还原性能说明通过二硫键对钴卟啉单体二聚化可以提高钴卟啉的电催化氧还原性能。 相似文献
115.
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和有机分子束沉积(OMBD)方法研究了全氟并五苯(perfluoropentancene,PFP)分子在半金属Ga表面的吸附和两维自组装. 在低覆盖度下单个PFP分子在Ga表面上表现出很高的迁移性. 在1分子单层(monolayer, ML)时PFP分子发生二聚化并在 Ga 表面上无序排列. 轻度热退火可导致PFP两维自组装: 二聚体排列为高度有序的一维分子带阵列, 带中 PFP二聚体排列为砖墙(brick wall)结构. 在高分辨 STM图中, PFP分子两端出现亮暗相反的圆形突起, 并且相邻分子的亮暗极性相反, 表明PFP分子带有电偶极矩, PFP二聚体带有电四极矩. 因此, PFP分子二聚体的形成机制可唯像解释为反向电偶极矩之间的静电吸引作用; 二聚体的砖墙排列结构可归结为同向电四极矩之间的静电排斥作用. 相似文献
116.
烷基和烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光电性能 总被引:13,自引:0,他引:13
Fe(Ⅲ )氧化催化法合成了 4种聚噻吩衍生物 ,3 十二烷基聚噻吩 (Pat12 ) ,3 辛氧基聚噻吩 (Paot8) ,3,4 二 (十二烷基 )聚噻吩 (Pat12 12 )和 3 (十二烷基 )噻吩 3 (辛氧基 )噻吩共聚物 (CoPt12 o8) .发现这些衍生物易溶于多种常用有机溶剂 .用GPC法测定了各聚合物分子量 ,用1 H NMR法表征了各聚合物化学结构 .对比研究了这些聚合物紫外 可见吸收性能 ,光致发光性能和能隙 .对其电致发光性能进行测定的结果 ,得到了Pat12 ,Pat12 12和Paot8的电致发光光谱 .发射峰分别为 6 70nm ,5 6 0nm和 6 4 0nm .发光颜色分别为红色 ,黄色和红橙色 .聚合物的光电性能与主链电子结构有密切关系 .探讨了取代基种类和数量对聚合物能带结构 ,光电性能的影响 . 相似文献
117.
118.
温度对Ⅱ型加载断裂韧性的影响规律 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨纯Ⅱ型加载BHW-35钢断裂韧性随温度的变化规律,有限元分析及实验研究表明:Ⅱ型加载下存在两种类型的裂纹扩张方式-滑开型与张开型;温度的变化导致裂纹扩张方式的改变。 相似文献
119.
利用扫描隧道显微镜(STM)系统地研究了C60薄膜在GaAs(001)表面的异质外延生长.在GaAs(001)2×4-β相表面,观察到C60薄膜以非密排面进行生长,并在生长中有结构相变产生.实验数据表明,薄膜下层面心立方(fcc)的晶格常数比C60晶体的晶格常数要大13%;而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆(hcp)结构,其表面为hcp(1100)面,生长过程是非理想的层状生长模式.在GaAs(001)-c(4×4)衬底上,C60薄膜的表面仍然是fcc(111)面,其结构参数与C60晶体一致,但C60薄膜采用了三维模式进行生长
关键词: 相似文献
120.
利用指数二分性和泛函分析方法,我们研究了当未扰动系统不具有异宿流形的退化异宿分支.我们利用Melnikov型向量给出了系统在退化情形下的横截异宿轨道存在的充分条件. 相似文献