可实现无间断数据传输的高速光纤链路

基于PCI总线接口实现了一种用于计算机与外设进行数据传输的高速光纤数据传输链路：采用现场可编程门阵列(FPGA)负责实现整个电路的逻辑与时序控制，并能支持DMA方式下的数据收发，开发了适用于链路卡的驱动程序；在应用程序中开辟了两个缓冲区，交替与传输卡上先进先出存储器(FIFO)通信，实现了主机到外设之间高速无间断数据传输；通过改变缓冲区的大小，对此链路的传输性能进行了测试，得到本传输卡的最高链路层带宙曲480Mbit／s。     

银杏叶提取物EGb761通过凋亡和细胞色素c信号通路减轻大鼠脑缺血-再灌注损伤

脑缺血-再灌注损伤(Ischemia-reperfusion Injury, IRI)是指脑组织恢复血液供应后,脑组织损伤继续加重现象.EGb761是银杏类黄酮和萜类化合物的混合物,具有抑制炎症反应、保护线粒体功能的作用,其在急性脑缺血中对线粒体细胞色素c及其相关凋亡通路的调控机制鲜有报道.在本次研究中,发现EGB761预处理能显著改善缺血大鼠神经功能障碍,降低氧化应激水平,使Bcl-2的水平增加,Bax、Caspase-3和细胞质细胞色素c(Cytochrome c,Cytc)的水平下降.这些结果表明,EGb761通过调控凋亡因子和细胞色素c信号通路减轻大鼠脑缺血-再灌注损伤.     

Effects of Grain Boundary Barrier in ZnO/Si Heterostructure

The influence of ZnO microstructure on electrical barriers is investigated using capacitance-voltage （C - V）, current-voltage （I- V） and deep level transient spectroscopy （DLTS） measurements. A deep level center located at Ec - 0.24 eV obtained by DLTS in the ZnO films is an intrinsic defect related to Zni. The surface states in the ZnO grains that have acceptor behavior of capturing electrons from Zni defects result in the formation of grain barriers. In addition, we find that the current transport is dominated by grain barriers after annealing at 600℃ at 02 ambient. With the increment of the annealing temperature, the current transport mechanism of ZnO/Si heterostructure is mainly dominated by thermo-emission.     

新稀土三元化合物的合成和结构解析研究简报Ⅱ

Ln—Sb—S体系新化合物继简报Ⅰ之后,又合成了几个Ln—Sb—S新化合物,并进行了结构解析,兹将结果简报如下:     

Upgrading Gigabit Ethernet with Multi-window CWDM Technique

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｗｉｔｈｔｈｅｓｐｒｅａｄｉｎｇａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｄａｔａｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｓｅｒｖｉｃｅｓ,ｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｏｎｎｅｔｗｏｒｋｂａｎｄｗｉｄｔｈｉｓｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌｌｙｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ .Ｉｎｃｏｍｐｕｔｅｒｌｏｃａｌａｒｅａｎｅｔｗｏｒｋ (ＬＡＮ) ,ｔｈｅｄｏｍｉｎａｎｔｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｓＥｔｈｅｒｎｅｔ,ｗｈｉｃｈｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓｎｅａｒｌｙ 80 ｐｅｒｃｅｎｔｏｆ ｐｅｒｓｏｎａｌｃｏｍｐｕｔｅｒｓ.Ｉｔｈａｓ…     

ZnO:Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO：Al／p—Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C—V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C—V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO：Al／p—Si异质结的C—V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO：Al／p—Si异质结的C—V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO：Al／p—Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。     

改性活性炭对Cr(Ⅵ)的吸附性能研究

利用Al_2(SO_4)_3对活性炭进行表面改性处理,对比研究未改性活性炭和铝盐改性的活性炭对Cr(Ⅵ)的吸附特性。实验结果表明,铝盐改性的活性炭对Cr(Ⅵ)的吸附效果好;其吸附等温线更加符合Langmuir等温吸附方程,且吸附属于自发的吸热反应,吸附方式以化学吸附为主;其吸附动力学更符合准二级动力学方程,吸附速率受颗粒内扩散和液膜扩散共同限制。     

Hopf bifurcation and analysis of equilibrium for a third-order differential equation in a model of competition

1. IntroductionOne of the more challenging aspects of mathematical biology is competition modelling.Although the mathematical idea is simple[1], this type of modelling is so difficult to carryout in any generality since there are so maily ways for a population to compete.The simplest form of competition is called eXPloitative competition. This occurs whenone or more populations compete for the same resources such as a common food supplyor a growth-limiting nutriellt. A simple example of this…     

基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器

基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(150ns)、优异的循环耐受性(103)、长时间保持性(85℃时105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.