大连市耕地变化及人文驱动因子的定量研究

大连市工业化、城市化发展迅速，非农建设用地占用量大，经济发展与耕地保护矛盾突出，这是我国东部沿海城市存在的普遍问题．运用数理统计方法对大连市近20年的耕地数量变化规律与人驱动要素关系进行了定量分析．结果表明．耕地数量总体呈不断减少趋势，经济和社会因素、农业投入因素是影响耕地变化的两个主要方面，其中主要是经济和社会因素．在此基础上，建立了耕地变化与人驱动因子之间的多元线性回归方程。     

薄膜异质结中磁性斯格明子的相关研究

磁性斯格明子由于具有拓扑保护、尺寸小、驱动电流密度低等优异的属性,有望作为未来超高密度磁存储和逻辑功能器件的信息载体.为了满足器件中信息写入和读取的基本要求,需要在室温下实现斯格明子的精确产生、操控和探测.该综述简要介绍最近我们针对上述问题取得的一系列研究进展,包括:1)证明可以通过控制磁性薄膜材料的垂直磁各向异性在室温下产生斯格明子,并进一步在基于反铁磁的薄膜异质结中发现了室温、零磁场下稳定存在的斯格明子;2)证明能够利用电流产生的自旋轨道力矩操控斯格明子,并进一步制备出一种基于斯格明子的原理型器件,实现了利用电学方式产生和操控数量可控的斯格明子.     

From microelectronics to spintronics and magnonics

In this review, the recent developments in microelectronics, spintronics, and magnonics have been summarized and compared. Firstly, the history of the spintronics has been briefly reviewed. Moreover, the recent development of magnonics such as magnon-mediated current drag effect (MCDE), magnon valve effect (MVE), magnon junction effect (MJE), magnon blocking effect (MBE), magnon-mediated nonlocal spin Hall magnetoresistance (MNSMR), magnon-transfer torque (MTT) effect, and magnon resonant tunneling (MRT) effect, magnon skin effect (MSE), etc., existing in magnon junctions or magnon heterojunctions, have been summarized and their potential applications in memory and logic devices, etc., are prospected, from which we can see a promising future for spintronics and magnonics beyond micro-electronics.     

电流焦耳热调控反转型垂直(Co/Pt)n/Co/IrMn纳米多层膜结构的交换偏置效应研究

交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_n/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)的面内交换偏置效应,不仅连续改变了交换偏置场H_eb大小,而且实现了H_eb的翻转.在垂直多层膜结构中,如果固定外加磁场H_p(脉冲电流I_DC)后连续改变I_DC(H_p)的大小可以连续调控H_eb的数值;如果固定H_p(I_DC)后同时改变I_DC(H_p)的大小和方向,则在较大I_DC时可实现H_eb的翻转.结果表明,该方法可以用来原位调控磁敏传感器的线性磁场范围和灵敏度等关键性能参数,对磁敏传感器的优化研究具有重要的借鉴意义.     

热电偶阶跃响应测试方法及数学建模

以TP17650M干式炉为热标准源,以Data Acquisition 34970A为数据采集仪,设计热电偶动态响应测试试验系统,测试在不同工作环境温度、不同偶丝直径、不同置入深度下K型热电偶的阶跃响应特性;在此基础上,利用Matlab软件对试验数据进行可视化分析,得出K型热电偶阶跃响应的数学模型,为该类型热电偶在设置单点保护阈值方面提供参考.     

Giant Tunneling Magnetoresistance in Spin-Filter Magnetic Tunnel Junctions Based on van der Waals A-Type Antiferromagnet CrSBr

Two-dimensional van der Waals magnetic materials have demonstrated great potential for new-generation high-performance and versatile spintronic devices. Among them, magnetic tunnel junctions(MTJs) based on A-type antiferromagnets, such as CrI₃, possess record-high tunneling magnetoresistance(TMR) because of the spin filter effect of each insulating unit ferromagnetic layer. However, the relatively low working temperature and the instability of the chromium halides hinder applications ...