基于表观堆栈遗传编程的回转支承寿命预测

由于回转支承的损伤机制不清楚,传统的寿命预测模型不能找出其寿命与振动信号的数学关系。本文改进传统的遗传编程算法(GP),根据表观遗传学的最新研究和堆栈结构,提出了基于表观堆栈遗传编程(ESGP)的寿命预测方法。先从时域、时频域中提取多个特征值,再用动态等距离映射算法从高维特征值中提取能够反映回转支承退化趋势的单一特征值,最后用ESGP进行寿命状态识别。结果表明,该算法成功地找出回转支承的寿命与振动信号的数学关系,为回转支承的损伤机制研究提供理论基础。其寿命预测精度、模型简洁度要高于传统GP。     

利用机会运动声源的水平阵地声反演EI北大核心CSCD

针对利用机会运动声源的反演问题,提出一种对水平阵的非相干波束输出进行重构并获得海底声学参数的反演方法。不同于匹配场反演,该方法利用了声场的平滑平均原理,并且将衰减简正波的影响比例提升。仿真分析表明所提方法相比于匹配场反演对海底衰减系数更加敏感并且对声源的空间位置误差更加宽容。实验数据的反演结果表明研究海域在30~160 Hz频率范围内海底衰减系数随频率的变化关系为(0.34±0.18) f^(1.59±0.27)dB/m(f的单位是kHz),并且给出了由反演出的参数计算的传播损失曲线与实验的声传播损失数据的比较,所提方法比匹配场反演方法更准确地表征了声场传播特征。     

公理化模糊集合的特征及其分类

基于模糊划分和公理化模糊集合的定义，研究公理化模糊集合的特征和分类．定义公理化模糊集合的2种规范形式：模交模糊集范式和模并模糊集范式，并证明带Zadeh算子、强否定算子的公理化模糊集合的规范形式存在定理．在此基础之上，给出带Zadeh算子、强否定算子的公理化模糊集合隶属函数的特征定理，依据特征定理给出公理化模糊集合的一种分类方式，最后分析在此分类下的类之间的关系．     

丽江“非物质文化遗产”产业化发展的理论支点

如何有效地保护、传承和发展非物质文化遗产是近年来学界和政界热议的话题。以非物质文化遗产为资源进行生产性保护,发展文化产业不失为是一条有效的途径。丽江历史悠久、人文荟萃,种类繁多且独具特色的非物质文化遗产为丽江文化产业的发展提供了丰富的文化资源,极具开发价值。经过多年的实践,丽江文化产业从无到有、从弱到强,目前已形成地方民族文化特色浓郁、个性突出、品位优良的良好发展态势,实现了社会效益和经济效益双丰收。若从微观的角度探讨云南丽江非物质文化遗产业化发展的理论基础,马克思的"文化生产力理论"可以作为其非物质文化遗产产业化发展的理论基础,皮埃尔·布迪厄的"文化资本理论"可以作为其理论来源。     

深水高温高压井管柱固定型封隔器失封及控制

为保证高温高压条件下深水油气井固定型封隔器的坐封效果,基于深水高温高压井完井测试开井后松弛力、活塞效应、螺旋弯曲效应、鼓胀效应和温度效应对管柱的影响,建立管柱固定型封隔器失封判断方法,并研究相关因素的影响规律。利用改进的正交试验,对产量、坐封深度、松弛力、管柱热阻和环空液体性质等可控因素的敏感性及可行性进行研究。结果表明:封隔器在高温高压条件下存在较高的失封风险;不同可控因素对失封风险的控制效果不同,其中环空液体性质、产量、松弛力和坐封深度的控制效果依次递减;综合考虑措施可行性,应优化环空液体性质、坐封深度和松弛力,必要时采用隔热管等技术,并对产量进行调节,保证坐封效果。     

超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.     

Monolithic integration of an AlGaN/GaN metalinsulator field-effect transistor with an ultra-low voltage-drop diode for self-protection

In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration.     

工业自动化中PLC技术的应用

伴随着电子技术与互联网技术的发展,PLC技术得到了前所未有的进步。现阶段,PLC技术已经凭借其自身优势在各行各业中广泛应用,且在工业自动化应用中取得了巨大成效。     

耗散结构论视角下的高校体育教学目标演进机理

运用耗散结构理论对高校体育教学目标的演进机理进行了剖析.认为:高校体育教学目标是一个多元动态系统,具有耗散结构形成的外部环境和条件,其形成过程受自组织机制和特征制约.系统与开放的外界环境和内部要素相互冲突、融合与创造,多层次的叠加、多要素的作用和多维度的需求,是其不断演进完善的原动力.指出:必须运用科学发展观和以人为本的教育理念,能动地把握体育教学目标的演进机理,才能有效提高体育教学质量,科学促进大学生的身心健康水平.