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21.
By developing multiple-scale method combined with
Wentzel--Kramer--Brillouin expansion, this paper analytically
studies the modulating effect of weakly periodic potential on the
dynamical properties of the Bose--Einstein condensates (BEC) trapped
in harmonic magnetic traps. A black--grey soliton transition is
observed in the BEC trapped in harmonic magnetic potential, due to
the weakly periodic potential modulating effect. Meanwhile, it finds
that with the slight increase of the weakly periodic potential
strength, the velocity of the soliton decreases, while its width
firstly decreases then increases, a minimum exists there. These
results show that the amplitude, velocity, and width of matter
solitons can be effectively managed by means of a weakly periodic
potential. 相似文献
22.
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Co掺杂MgF2晶体的几何结构、电子结构和光学性质.结果表明,Co掺杂导致MgF2晶体结构畸变,可能发生一种类四方和斜方型结构相变.由于Co原子的加入,体系的禁带宽度减小,可观察到半导体—金属性转变.计算也表明,Co掺杂对静态介电常数和光吸收系数有重要调制作用,所得结果与最近实验测量很好相符,揭示了Co:MgF2体系在光学元器件方面的潜在应用.
关键词:
密度泛函理论(DFT)
第一性原理
超软赝势
2')" href="#">Co掺杂MgF2 相似文献
23.
24.
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.
关键词:
AlGaN/GaN 结构
AlN/GaN超晶格
二维电子气
高电子迁移率晶体管 相似文献
25.
26.
27.
用坩埚下降法生长了Tm3+掺杂浓度分别为0.8%和1.3%的优质大尺寸LiYF4(LYF)单晶体。测定了单晶体的吸收光谱、发射光谱,并计算了3F4能级的的最大吸收截面与最大发射截面分别为0.25×10-20 cm2和0.33×10-20 cm2。以796 nm半导体激光器(LD)为泵浦源,采用短平板腔结构模型研究了Tm掺杂LYF单晶体在~2.0μm波段的激光输出性能。当LD泵浦功率为3.4 W时,Tm∶YLF晶体的最大激光输出功率为1.88 W,相应的光光转换效率和斜率效率分别为51%和57%。使用半导体可饱和吸收镜抽运Tm掺杂LYF单晶体,测试其在~2.0μm波段连续波锁模激光运转。当最大抽运功率为3.5 W时,获得锁模激光的最大平均输出功率为200 mW,此时锁模脉冲宽度~20 ps,对应的重复频率63.86 MHz,中心谱线为1.88μm。结果表明,Tm掺杂LYF单晶体是一种具有较好物理性能的~2μm波段超... 相似文献
28.
Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors 下载免费PDF全文
丁李利 Simone Gerardin Marta Bagatin Dario Bisello Serena Mattiazzo Alessandro Paccagnella 《中国物理 B》2016,25(9):96110-096110
The total ionizing dose(TID) response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad(SiO_2) total dose.The degradation levels induced by the two radiation sources are different to some extent.The main reason is the interface dose enhancement due to the thin gate oxide and the low energy photons.The holes' recombination also contributes to the difference.Compared to these two mechanisms,the influence of the dose rate is negligible. 相似文献
29.
研究了在排列通道线性组合散射波方法中阻尼函数的衰减形式,通过计算表明,在三维H+H2交换反应中,阻尼函数应以快于1-exp的形式,如f(R)=1-exp,在经典回转点处衰减为0,同时提出闭通道函数应分布在准经典近似不适用的区域。 相似文献
30.