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951.
本文根据工程中大量遇到的圆形截面结构,建立了圆柱体形地基模型,并用B样条基函数来表征模型的位移。由于所设函数的合理性,使在一般荷载作用下圆心处的位移保持连续,应力应变不再奇异,且具有待定系数少、精度高等特点,使庞大的三维问题能在一般微机上求解。文中对地基-结构相互作用时地基人工边界的设置及范围进行了大量计算,得到了一些规律性的结果。 相似文献
952.
对饱和多孔介质波动问题中本构关系的探讨 总被引:6,自引:0,他引:6
依据连续介质力学的混合物理论,讨论了饱和多孔介质的波动一般方程。其中考虑了质量耦合、初始压力及其浮力效应等。对于澄清这一研究课题中的某些基本概念,以及完善其理论体系具有重要意义。)其中v ̄(2)为速度涨落,于是单位体积内流相的动能为:因此将流相动能的涨落K ̄(2)归于自由能更自然些。又因为当:v ̄(2*)≡v ̄1时,即Δv=v ̄1-v ̄2=0时v ̄(2)=0,此时K ̄(2)=0而且显然K ̄(2)随着Δv·Δv的增大而增大,一个简单的近似是令K ̄(2)=ρ·Δv_k·Δv_k并且是常数。由此可导出表现质量力。由自由能的非负性质知,所以有.由(4.13a)很容易推出质量密度矩阵的对称性和正定性。参考文献 相似文献
953.
本文讨论了一类简化的Signorini问题。首先将原问题和一个边值问题建立联系,其次将原问题的解分解为不带不等边界条件的变分方程的解和一个变分不等式的解。然后利用边值问题的边界积分方程将变分不等式等价地化解为边界变分不等式。这样原求区域上的第一类椭圆变分不等式问题化解为求一个区域上的变分方程和一个边界变分不等式。最后说明了边界变分不等式解的存在唯一性。文末计算了柱面和半无限刚性基础的摩擦接触问题。结论表明文中方法具有较好的精度。 相似文献
954.
聚氨酯-Si3N4陶瓷复合材料浆体冲蚀磨损性能研究 总被引:2,自引:1,他引:2
利用聚四氢呋哺醚二醇和甲苯二异氰酸酯反应得到预聚体,将预聚体同经过表面处理的Si3N4陶瓷粉末共混,利用模压硫化和常温硫化制得聚氨酯-Si3N4陶瓷复合材料;采用LJ-500型拉力试验机测定了所制备的聚氨酯-Si3N4复合材料的抗拉强度和断裂伸长率;采用MSH型冲蚀磨损试验机对比考察了聚氨酯、2Crl3钢、45^#钢及聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损性能;采用扫描电子显微镜观察了冲蚀磨损表面形貌,探讨了Si3N4陶瓷粉末增强聚氨酯弹性体的冲蚀磨损机理.结果表明:聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损性能显著优于2Crl3钢和45^#钢;当Si3N4粉末质量分数为5%~10%时,相应的聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损能力同聚氨酯弹性体相比提高80%以上;聚氨酯/Si3N4陶瓷粉末复合材料主要冲蚀磨损机制为Si3N4聚集体或附聚体的溃裂脱落. 相似文献
955.
以分析纯Mg(OH)2和Ca(OH)2为原料,CaF2为添加剂,通过行星球磨机混合后机压成型,经1650℃×3 h烧成,制备了MgO-CaO材料。采用XRD和SEM对试样进行了分析表征。结果表明:随着CaF2加入量的增大,试样的体积密度逐渐增大,显气孔率减小,试样的致密化程度增强,而CaF2加入量超过2wt%后,试样的致密化程度降低。CaF2促进MgO-CaO材料致密的实质在于,CaF2晶体结构中存在大量的八面体空隙,由于自身的热缺陷,F-进入间隙位而形成填隙离子,留下带正电的F-空位,在迁移过程中易与O2-发生静电吸引,增大了O2-的扩散速度,增强了MgO的扩散,进而促进方镁石晶粒的长大。 相似文献
956.
Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation
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Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interracial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness (EOT) scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process. 相似文献
957.
以对碘苯胺和5-溴水杨醛、3,5-二溴水杨醛为原料,用液相合成和固相合成两种方法分别合成了光致变色发光化合物5-溴水杨醛缩对碘苯胺席夫碱、3,5-二溴水杨醛缩对碘苯胺席夫碱,利用核磁共振氢谱、质谱、红外光谱和元素分析对两个化合物结构进行了表征,通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱测定了它们的发光性能。结果表明,当用254nm紫外光照射时,两个化合物均表现出良好的光致变色性能;另外,两个化合物在OH-和H+作用下,均表现出良好的发光开关特性。该类多功能席夫碱化合物在信息存储、分子开关和pH检测领域里具有潜在的应用价值。 相似文献
958.
通过水热法合成了2个配位聚合物:[Cu(H2dpcp)2]n (1)和[Mn2(Hdpcp)2(H2O)2·2H2O]n (2)[H3dpcp=5-(2,4-二羧基苯基)-2-羧基吡啶],H3dpcp由3-(2,4-二羧基苯基)-2,6-二羧基吡啶(H4dpdp)原位脱羧生成.X-射线单晶衍射测得2个化合物都属于单斜晶系,化合物1结晶在P21/c空间群,a=0.639(13) nm,b=1.835(4) nm,c=1.115(2) nm,β=102.29(3)°,Z=2;化合物2结晶在C2/c空间群,a=3.126(6) nm,b=1.004(2) nm,c=1.080(2) nm,β=93.73(3)°,Z=4.化合物1以配体H2dpcp-桥连Cu(Ⅱ)形成一维链状结构.化合物2通过Hdpcp2-桥连Mn(Ⅱ)形成二维层状结构,并进一步通过氢键作用形成三维超分子结构.负的Weiss常数θ表明化合物2存在反铁磁耦合作用. 相似文献
959.
对S30408奥氏体不锈钢进行室温应变强化,在深冷温区(77K^4.2K)进一步时效处理,利用金相显微镜、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)研究了应变诱发和热诱发马氏体相变的微观特征,探讨了马氏体相变的微观机理。结果表明:马氏体相变的含量、微观形貌、形核特征和位错组态随着预应变量的增加和温度的降低而改变,且应变强化比温度对相变的影响要大。诱发马氏体与母相奥氏体的位相关系符合K-S关系,其相变的微观机理为γ(fcc)→ε(hcp)、γ(fcc)→α'(bcc)、γ(fcc)→ε(hcp)→α'(bcc)、γ(fcc)→形变孪晶→α'(bcc)。 相似文献
960.
使用phreeqc软件计算黄浦江水的碳酸钙沉淀势(Calcium Carbonate Precipitation Potential,CCPP),首次分析了地表水CCPP的理论计算值与实验值的差异原因,并作黄浦江水pH与CCPP的统计关联分析.结果表明:免费开源的 phreeqc程序计算CCPP的精度同商业软件不相上下... 相似文献