超铀区缺中子新同位素~（235）Am的合成与鉴别

用３５ＭｅＶ质子轰击同位素靶２３８Ｐｕ，通过２３８Ｐｕ（Ｐ，４ｎ）２３５Ａｍ反应，合成了新的缺中子同位素２３５Ａｍ．利用Ｈｅ－ｊｅｔ及毛细管传输技术收集反应产物，然后用放射化学法除去产物中的裂变碎片并分离出Ａｍ活性．根据观测到的２３５Ｐｕ的衰变Ｙ及ＮＰ的特征Ｘ射线的生长－衰变行为和Ｘ－Ｙ符合测量，肯定了２３５Ａｍ的首次合成，测得２３５Ａｍ的半衰期为１５±５ｍｉｎ．     

197Au（n,2n）反应中同质异能素截面比

用活化法测量了15MeV中子引起¹⁹⁷Au（n,2n）反应的同质异能素截面比。使用Huizenga-Vandenbosch描述的方法计算了该反应的同质异能截面比,根据实验值同理论值的比较,确定了产物核的自旋切割因子和核有效转动惯量的值。     

单次分子镀法制备Sm和Eu厚靶

研究了在异丙醇-硝酸体系中单次分子镀流程制备Sm和Eu厚靶的实验条件。确定了在20μm铍箔上进行Sm和Eu分子镀实验的最佳工艺条件为：两极间距3cm,电流密度3.8mA/cm^2,分子镀过程持续1h。用分光光度法测定了分子镀的沉积效率均高于95%,所制备Sm和Eu靶膜的厚度分别在1.6和1.5mg/cm^2。     

186mTa的鉴别

通过14 MeV中子引起的¹⁸⁶W(n,p)反应, 生成了^186mTa和¹⁸⁶Ta. 借助于对已知¹⁸⁶Ta的γ射线的观测, 鉴别了未知的^186mTa, 并测定其半衰期为1.5±0.1 min.     

新重丰中子同位素^239Pa的合成

本文简述了新重丰中子同位素＾２３９Ｐａ的首次合成和鉴别，并测定其半衰期为１０６＋３０ｍｉｎ。     

实验测定183Os的QEC值

用39MeV-α粒子轰击天然钨靶产生了¹⁸³Os测量了¹⁸³Os衰变的γ-β符合谱,确定了β⁺能谱的端点能量.最终提取出 衰变的QQ_EC值:Q_EC=2.24±0.10MeV,与系统学的估计值;2.30±0.10MeV在误差范围内相符.     

新丰中子同位素:186Hf

在兰州重离子加速器(FDUL)上,用60MeV/μ ¹⁸O离子轰击厚天然钨靶,通过多核子转移反应产生¹⁸⁶Hf. 使用放射化学分离技术从钨和反应产物混和物中分离出铪,并由HPGe探测器测量铪样品的活性.观测到了¹⁸⁶Hf的子体¹⁸⁶Ta的737,5keVY射线的增长、衰变行为,结果表明,本实验首次合成并鉴别了新丰中子同位素¹⁸⁶Hf,测得它的半衰期为(2.6±1.2)min.     

单次分子镀法制备Sm和Eu厚靶

研究了在异丙醇-硝酸体系中单次分子镀流程制备Sm和Eu厚靶的实验条件。确定了在20 μm铍箔上进行Sm和Eu分子镀实验的最佳工艺条件为: 两极间距3 cm, 电流密度3.8mA/cm2, 分子镀过程持续1h。 用分光光度法测定了分子镀的沉积效率均高于95%, 所制备Sm和Eu靶膜的厚度分别在1.6和1.5 mg/cm2。     

85Rb(n, 2n)84Rb反应中同质异能态截面比

在14.7MeV中子能量下, 测量了⁸⁵Rb(n,2n)反应同质异能态截面及其比值. 实验比值与Vandenbosh-Huizenga方法算出的理论值做了比较, 定出了自旋切割因子σ值.