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第一性原理对GanP-m阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定. 相似文献
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SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %. 相似文献
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按照国外低压ZnO压敏陶瓷中所含添加剂的种类,利用制备ZnO压敏陶瓷的常规工艺,对基本添加剂进行单因子实验;研究每种添加剂对ZnO压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律;从理论上分析各类添加剂的作用机理;优选出低压ZnO压敏陶瓷的最佳配方。 相似文献
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用密度泛函理论研究直径为9.5Å,15.9Å和22.5Å,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应. 相似文献
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目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。 相似文献
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MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜 总被引:3,自引:1,他引:2
以SnCl4液体为锡源用MOPECVDE方法制备出了SnO2薄膜,用X射线衍射仪和透射电镜(TEM)分析了薄膜的晶体结构和SnO2晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒SnO2薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成SnO2气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小SnO2晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。 相似文献