基于嵌入式Linux操作系统的有线电视机顶盒的构建

介绍有线电视机顶盒的工作原理，分析机顶盒的功能层次，提出机顶盒必须用嵌入式计算机系统实现，嵌入式计算机系统中使用嵌入式Linux操作系统是最好的选择，最后介绍机顶盒的软硬件系统的集成和开发过程。     

生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。     

超宽带电磁脉冲与地雷耦合的数值模拟

 用数值方法研究了超宽带电磁脉冲与地雷耦合问题。验证了截断有耗边界的完全匹配层方法，给出了超宽带信号经天线发射后在不同距离处的辐射场。通过数值模拟，给出了不同作用距离和作用角条件下地雷体内的耦合电磁场。     

沥青路面形貌对抗滑性能影响的理论分析

在分析沥青路面形貌特点和轮胎与路面摩擦力产生机理的基础上,根据汽车轮胎学、黏弹性理论及橡胶摩擦理论,从理论上分析了沥青路面形貌对抗滑性能的影响.结果表明:沥青路面宏观构造凸出体的高度和密度,微观构造微凸体的高度、密度和尖锐度对沥青路面抗滑性能具有明显影响.沥青路面宏观构造凸出体的高度和密度增大,沥青路面抗滑性能增强;微观构造微凸体高度和密度增加,沥青路面抗滑性能增强.具有尖锐微凸体的沥青路面比具有平钝微凸体的沥青路面拥有更好的抗滑性能.     

940nm波长高功率线阵二极管激光器封装研究

 对940nm波长高功率线阵二极管激光器的封装结构进行了重新设计，并在此基础上开展了芯片的封装实验。封装出的线阵二极管激光器，在连续工作时输出激光功率达40W，在准连续工作时（占空比0.5%），输出峰值功率可达100W。     

二甲基—γ—全氟辛酰氧丙基硅烷自组装膜的制备及其摩擦学性能研究

利用分子自组装技术 ,用含有全氟烷基的氯硅烷作为前驱体 ,在活化玻璃表面制备了二甲基 -γ-全氟辛酰氧丙基硅烷单分子膜 ;用 X射线光电子能谱仪对组装膜表面的几种特征元素及其化学环境进行了表征 ;采用接触角测定仪测定了蒸馏水在自组装薄膜表面的接触角 ,在动静摩擦磨损试验机上评价了薄膜同 GCr1 5钢球对摩时的摩擦磨损性能 .结果表明 :所制备的自组装膜的表面自由能很低 ,具有很好的疏水 -疏油性 ,其对水的接触角高达 1 1 0°;二甲基 -γ-全氟辛酰氧丙基硅烷组装膜可以降低基片的摩擦系数 ,而且在较低负荷下具有很好的耐磨性     

基于神经网络的模糊呼叫接纳控制器

本文提出了一种新的基于神经网络的模糊逻辑技术实现呼叫接纲控制（ＣＡＣ）的方法,与传统的神经网络方法相比,该方法利用了两种技术的优点,能合理地选择初始参数,同时具有自学习能力,模拟结果表明,我们提出的方法能够利用较少的训练数据获得较高的精确怀,减少了训练时间,体现了传统才神经网络方法不具备的优越性。     

多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算

本言语用有限单元法对双岛型多晶硅压力传感器的应力分布进行了计算机模拟,根据模拟计算的应力分布规律,优化多晶硅应变电阻的设计,弥补了多晶硅压阻系数低于单晶硅的缺点,研制出双岛结构多昌硅压力传感器,传感器具有高灵敏度和高的工作温度,计算分析结果与实验基本相符。     

基于Poisson-Markov场的超分辨力图像复原算法

图像的超分辨力复原和信噪比的提高是图像复原追求的目标.Poisson-ML图像复原方法(PML)具有很强的超分辨力复原能力,但在复原过程中会产生振荡条纹且对带噪较大的图像不能取得理想的复原效果.在Poisson和Markov分布假设的基础上,提出基于Poisson-Markov场的超分辨力图像复原算法及其正则化参数的自适应选择方法(MPML).实验表明,MPML算法不但具有很好的超分辨力复原能力,而且能有效减少和去除复原图像中的振荡条纹,对于带噪较大的图像也能取得理想的复原效果,因此其图像复原质量明显好于PML算法.正则化参数能被自动优化地选择且与图像复原的迭代运算同步进行.     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据