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生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献
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关于G-M成果研究的若干新动态Ⅰ——G-M型空间的若干品种 总被引:1,自引:1,他引:0
结合自己的工作,对Gowers-Maurey系列成果获Fields奖以来的研究的新动态作一综述。本是上篇,主要讨论含遗传不可分解空间在内的G-M型空间的若干品种。 相似文献
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二极管伏安特性曲线测试电路的改进 总被引:2,自引:0,他引:2
指出了文献中所给出的伏安法测二级管特性曲线电路存在的问题,并给出了改进电路。 相似文献
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For the Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF) and future Shanghai Free‐Electron Laser projects, ground vibration is an important factor and, in order to attenuate it, the construction of a deep tunnel is under consideration. This paper concentrates on the investigation of ground vibration at different underground levels down to 60 m below surface, in order to understand the effect of vibration attenuation with depth. The effect of traffic is also studied using a 10 ton truck, with ground motion compared in different directions. Finally, a summary and some suggestions on these two projects are given. 相似文献