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101.
介绍用MCS-51系列单片机控制GSM数据模块D15收发短信息的原理、硬件电路和AT控制命 令集,并且对短信息收发的PDU格式和用户数据的编译码进行了分析. 相似文献
102.
103.
钛镍形状记忆合金冲击变形后形状记忆效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用SHPB技术和可控速率循环加温条件下变形恢复量测定装置研究了冲击及静载变形后的TiNi形状记忆合金的单程及双程形状记忆特性。发现马氏体状态下的TiNi合金的力学特性显示出明显的应变率强化效应 ,并且高应变率压缩应力应变曲线呈现流动平台。应变率对形状记忆效应的影响具有双重性 ,当外加应力或残余应变较小 ,可逆非弹性变形机制起主导作用时 ,提高应变率可以增加其单程形状记忆效应 ;而随外加应力或残余应变增大 ,当基于位错机制的不可逆非弹性变形机制起主导作用时 ,应变率提高却抑制了其单程形状记忆效应。应变率对TiNi合金双程形状记忆效应的影响视塑性变形的大小而异 ,高应变率动载后的双程形状记忆效应在较小塑性应变时 ,比静载后的要强 ;但在较大塑性应变时两者差别不大。 相似文献
104.
报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 相似文献
105.
介绍了利用压电陀螺设计的捷联式三自由度位置陀螺,测量出大口径自行压制武器发射引起的变位,通过解算模型,求出修正量,从而保证了射击线稳定的自动复位系统。 相似文献
106.
Nd:YAG激光辐照花生种子的生物学效应 总被引:8,自引:1,他引:7
本文研究了用 Nd:YAG(10 60 nm)激光辐照花生种子后其 F1 代的细胞生物学效应和农艺性状变异。研究结果表明 ,在功率密度为 35 .84W/ cm2情况下 ,辐照时间由 3s增至 8s均能诱发根尖细胞的染色体畸变 ,畸变率相应由 0 .16%增至 0 .5 3% ,染色体畸变类型也随之增加 ;8s处理后的染色体畸变类型中 ,中期提早分离、数目变异、粘连、不均等分裂、多极分裂及核向细胞质突起等在 3s处理中均无出现。根据种子萌发和生长情况 ,35 .84W/ cm2 × 8s处理已达到致死剂量。3s处理组的 F1 植株的主茎高、单株结果数、饱果数和单株果重等均比对照组显著增加 相似文献
107.
108.
109.
110.
脱氧核糖核酸与3-氨基-6-二甲氨基-2-甲基吩嗪盐酸盐反应机理的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用UV光谱法 ,发现在pH 7~ 8的缓冲溶液中 ,脱氧核糖核酸 (DNA)与 3 氨基 6 二甲氨基 2 甲基吩嗪盐酸盐 (ZR)相互作用 ,生成红色配合物 ,此配合物的最大吸收峰为 5 2 0nm。反应前后的吸收光谱变化明显 ,配合物的吸收峰值红移 70nm。测得该配合物的表观摩尔吸光系数ε =1 5× 10 6mol-1·L·cm-1;最大结合数n =30 3。研究了体系的酸度、温度、时间等基本反应条件。离子强度的改变对体系的吸光度有明显的影响。实验研究了生物大分子与小分子探针的结合模式 ,认为该反应基本符合Scatchard模型。 相似文献