扭转椭圆双折射光纤环形腔输出特性

对扭转椭圆双折射光纤环形腔的带阻输出特性进行了分析和计算。结果表明，任意椭圆偏振态输入，光纤的双折射和扭转使光纤环形腔带阻输出特性中的谐振峰分裂为两组，对应于光纤的两个本征偏振态。谐振频率发生偏移，偏移量取决于光纤的双折射参数和扭转速率，两组谐振峰的相对幅度取决于光纤的双折射参数、扭转速率和输入偏振态。若输入偏振态为双折射光纤本征偏振态之一，就仅出现一组谐振峰。光纤的双折射和扭转对环形腔的精细度没有影响。     

SiCOI制造技术

Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si COI技术的发展并作简要评价     

垂直排列一扭曲向列液晶显示的阈值特性

从液晶体系的总自由能出发,通过欧拉-拉格朗日方程组的推导,得到了手性向列相液晶从垂直排列状态转变成平面扭曲排列时的Freedericksz转变阈值电压公式Vth=π×     

a—Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化

我们在分析陷光结构的表面形貌后,对陷光结构提出一个新的模型,并用它计算和分析析射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算,我们找出这些参数的最佳值,并依此对陷光结构进行优化,以提高非晶硅太阳电池的效率和稳定性。     

激光与红外复合隐身涂料初步研究

分析了激光与红外复合隐身的基本原理,介绍了所研制的激光与红外复合隐身涂料的各种性能,包括激光隐身性能、红外隐身性能、可见光伪装性能以及复合隐身涂料的物理性能等。     

焦化炉炉管的红外热像检测诊断

文章以沧州炼油厂焦化炉炉管为实例,概括地介绍了采用红外热像技术,如何对高温火焰环境下工作的炉管进行温度场检测,以及对炉管的运行状态进行评估诊断的。从而为焦化炉炉管的“安、稳、长”运行提供了科学的监测方法。     

激光微束穿刺法获得抗虫转基因油菜及其后代的研究

利用激光微束穿刺法将苏云金芽孢杆菌的毒蛋白 (δ endotoxin)基因导入了油菜 ,经聚合酶催化链式反应(PCR)和PCRSouthern杂交证明抗虫基因已导入油菜基因组中并能在T1 代得到遗传。对转基因植株进行了抗虫性测试 ,结果表明某些植株具有较好的抗虫性 ,并且这种抗虫性在T1 代仍能保持。实验结果表明抗虫基因已整合进油菜基因组并得到了稳定的遗传。     

一种新型有机染料HEASPS的激光上转换和光限幅性能

报道了一种新型上转换染料———反式 4 [4’ (N 羟乙基 N 乙基胺基 )苯乙烯基 ] N 甲基吡啶 对甲苯磺酸盐(trans 4 [4’ (N hydroxyethyl N ethylamino)styryl] N methylpyridiniump toluenesulfonate ,简称HEASPS)DMF溶液的激光上转换性质和光限幅性质。用Z 扫描技术测得其双光子吸收截面为σ2 =4.7× 10 -4 8cm4 ·s/photon ,研究了它在DMF溶剂中的线性吸收、单光子荧光、双光子荧光和双光子激射特性 ,用再吸收效应解释了双光子荧光峰相对单光子荧光峰的红移现象 ,该染料的激射和再吸收现象相互竞争导致了双光子激射峰相对于双光子荧光峰的蓝移现象。在 10 6 4nm皮秒脉冲激光的激发下 ,可得强烈的 6 2 6nm上转换激射光 ,上转换效率最高为 15 .5 % ,从抽运光到激射光的净转换效率为 2 6 %。该染料的DMF溶液表现出明显的光限幅特性     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)     

基于传输流的MPEG-2系统级复用实现方案

复用器是数字电视系统前端的关键设备,详细介绍了一种基于传输流的MPEG-2系统级复用器的设计与实现方案.