一种低频有色噪声的自适应对消模型

文中讨论了使用自适应噪声对消抵制有色噪声的原理、特点,提出了在特定情况下 一种改进的对消模型及其原理,并结合ＬＭＳ（Ｌｅａｓｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅｓ）和ＲＬＳ（Ｒｅｃｕｒｓｉｖｅ Ｌｅａｓｔ Ｓｑｕａｒｅｓ）滤波器的实现,给出了计算实例。     

幅相一致行波管均衡技术

幅相一致行波管之间须具有高度一致的增益和相位延迟。由于工艺、材料的原因 ,实际的管子要经过均衡调整才能做到这一点。本文主要讨论了均衡的原理和途径。     

(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-SrTiO_3无铅压电陶瓷的介电、压电性能

研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了 NBT材料的高矫顽场 ,从而使极化相对容易。(Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系的压电性能参数 d33和 kt分别达到 10 0 p C/N和 0 .45     

ADSL接入技术综述

首先介绍了ＡＤＳＬ的体系结构、接口、协议、标准、市制方式等技术;然后分析了国外一些公司ＡＤＳＬ芯片组的功能和特点;最后介绍了Ａｌｃａｔｅｌ Ｔｅｌｅｃｏｍ的ＡＤＳＬ的接入设备。     

宽带城域网及其增值业务

城市信息化离不开城市信息高速公路 ,宽带城域网的建设为城市信息化提供了高速通道。IP网和ATM网将是宽带城域网的核心平台 ,宽带接入技术将成为城域网接入的主要手段 ,宽带城域网整体解决方案离不开IP软技术的应用 ,三网融合将是宽带城域网发展方向。增值业务是网络不断发展的动力所在     

频扫天线慢波线的幅相误差对天线方向图影响的分析

从理论上分析计算了频扫阵列天线慢波线的幅相分布误差对天线方向图的影响 ,给出了几组误差分布条件下频扫天线扫描波束指向偏离和副瓣电平变坏的结果 ,与试验小阵的测试数据比较 ,两者吻合较好 ,这对频扫天线慢波线的工程设计具有重要的指导作用。本文的分析方法也同样可用于相扫、频相扫以及相控阵天线的工程设计     

真空电子器件工作和非工作可靠性的探讨

论述了几个军用真空电子器件在不同应用条件下的工作和非工作的可靠性情况 ,提出器件在非工作贮存期内的预计失效率模型 ,并讨论在长期非工作贮存期内出现的失效机理及定性得出存放寿命与时间相关的结论。     

具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 .     

聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关     

GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱

介绍了一种新型的空间调制光谱技术—差分反射 ( DR)光谱技术 .利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 .通过与材料的 PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析 ,论证了 DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性 ,并从实验角度证明了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征