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报道了一台800 Hz,6.2 W外腔和频的589 nm黄光激光器。基频激光器均采用双棒串接平平对称腔,增益介质为Nd:YAG晶体,采用声光调Q方式分别获得11.1 W的1 064 nm激光和12.6 W的1 319 nm激光。和频晶体采用三硼酸锂(LBO),尺寸为4 mm×4 mm×30 mm,采用Ⅰ类非临界相位匹配。将两束激光通过分光镜合束,聚集后注入LBO晶体,获得589 nm黄光最大输出功率为6.2 W,脉宽为50 ns,和频效率26.2%。x方向和y方向的光束质量平方因子分别为3.20和3.61。 相似文献
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设计了一种基于相变冷却方式工作的大功率二极管激光器,该激光器的散热器是基于节流式喷射微槽道相变冷却的原理,使冷却液在微槽中的气化率达到了70%,大幅度提高了冷却效果,减小了冷却液流量,在同样制冷功率条件下,冷却液流量仅为水冷方式的1/10。利用相变冷却器进行了背冷式半导体激光器叠阵封装工艺的研究,采用复合热沉与AuSn硬焊料结合的新型封装工艺,完成了准连续3 kW叠阵的封装。实验测试表明,单元叠阵的输出功率达到3.01 kW,占空比10%,封装间距为1.3 mm,光谱宽度小于3.5 nm。最大功率输出时所需R134a冷却液的流量仅为110 mL/min。 相似文献
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Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用分子束外延(MBE)技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面,其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法,研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明,随着退火温度的提高,应变层垂直应变逐渐减小,并发生了应变弛豫,导致晶体质量退化;且Ge组分越小,Si1-xGex应变结构的热稳定性越好;室温下长时间存放的应变材料性能稳定。 相似文献
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