Generalized Goodman–Harpe–Jones Construction of Subfactors, II

We build some exceptional representations of Birman–Wenzl algebras from the data of certain conformal embeddings. As a result we construct new finite depth subfactors whose principal graphs are completely determined. Received: 16 February 1996 / Accepted: 25 July 1996     

溴分子[^2Π3／2]4d里德堡态的转动谱的计算模拟

对溴分子在６８８００－７２００ｃｍ＾－１范围内的两个被观察到的［＾２Π３／２］４ｄ偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟，确定了转动常数，并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。     

噪声测量作为筛选光电耦合器件的一种方法

本文针对目前用于光电耦合器件筛选方法的不足，提出了用测量耦合器件噪声功率谱的方法来筛选掉噪声值大的器件，给出一批光电耦合器件的测量统计结果及在不同工作点时的噪声功率谱，并给出相应的筛选标准，实验结果表明，这种方法是有效、可行的。     

波导短程透镜球差特性分析及其焦距精确测量方法的研究

本文研究短程透镜的焦点位于端面外的球差特性。对焦点位于波导外部（包括端面）的情况给出了一种精确测量焦距新方法，采用这种方法简单易行，测量精度取决于读数显微镜的读数精度（０．０１ｍｍ）。     

Modules over Operator Algebras and Its Module Maps

ＭｏｄｕｌｅｓｏｖｅｒＯｐｅｒａｔｏｒＡｌｇｅｂｒａｓａｎｄＩｔｓＭｏｄｕｌｅＭａｐｓＸｕＴｉａｎｚｈｏｕ（许天周）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ，２１００９３）ＡｂｓｔｒａｃｔＬｅ...     

两个不等式的加强与证明

本文利用幂平均加强了林同坡不等式和Ｓｔｏｌａｒｓｋｙ不等式，并给出了证明．     

运动水平平板上混合对流的群论分析

本文用变换群理论对运动水平平板混合对流边界层流动的动量、能量和浓度扩散方程进行了分析，得到了与X4/(7-5n)成正比的壁面温度分布和浓度分布，同时壁面运动速度正比于X(3-n)／(7-5n)时存在相似性解．导出了相似性解方程，用四阶Runge－Kutta方法进行了计算，给出了Pr＝0．72　和Sc，K1，K2，K3参数下的速度、温度和浓度分布，得出了各参数对流场、温度场的影响。     

关于半群局部化的一个注记

证明了对于任何的半群Ｓ和其任何的子半群Ｔ，Ｓ在Ｔ的局部化总是存在的。     

Electrochemically induced asymmetrical etching in InAlAs/InGaAs heterostructures for MODFET gate-groove fabrication

We have achieved a self-controlled asymmetrical etching in metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlAs/InGaAs heterostructures, which can be suitable for fabricating modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) with gate-groove profiles for improved performance. The technology is based on electrochemical etching phenomena, which can be effectively controlled by using different surface metals for ohmic electrodes. When surface metals of Pt and Ni are deposited on the source and the drain, respectively, the higher electrode potential of Pt results in slower etching on the source side than on the drain side. Thus, asymmetry of gate grooves can be formed by wet-chemical etching with citric-acid-based etchant. This represents a new possibility to conduct “recess engineering” for InAlAs/InGaAs MODFETs.     

用相位调制方法测量光盘盘基应力双折射的精度分析

偏振相位调制方法是测量微小双折射的一种高精度检测方法。本文系统全面地分析了以ＰＭＣＳＡ结构形式测量光盘盘基应力双折射的相位调制方法中，由各种误差源造成的对测试结果的影响。