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61.
The relation of the isoelectric point (IEP) and the point of zero net charge (PZNC) of the hydrotalcite-like compounds was discussed. It was found that the IEP does not equal to the PZNC and the IEP is higher than the PZNC. The structural positive charges existing in the HTlc,which cause the difference between the IEP and the PZNC. The effects of the structural positive charges of the HTlc on its IEP and PZNC are the same as the specific adsorption of metal cations.  相似文献   
62.
非负矩阵与有向图的谱半径   总被引:2,自引:0,他引:2  
张晓东  李炯生 《数学学报》2005,48(1):181-184
本文给出非负矩阵的谱半径的上界、下界,由此给出有向图的谱半径的界.  相似文献   
63.
We construct the second approximation for random oscillations described by the Van der Pol equation which are under the action of a broadband random process. Translated from Ukrainskii Matematicheskii Zhurnal, Vol. 50, No. 11, pp. 1517–1521, November, 1998.  相似文献   
64.
本文介绍中日国际合作开发研究的A1型智能网(A1型IN)智能工作站(IW)主机的并行推理硬件结构的实验模型设计与实现,给出了一种并行推理硬件支持环境实现方案和该方案在实现中若干问题的解决方法。  相似文献   
65.
压缩迭加态及其特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
董传华  缪连元 《光学学报》1995,15(12):657-1662
压缩迭加态是由迭加态通过压缩系统后产生的一种辐射经典态。这种具备了Wigner相空间压缩和相干迭加压缩两种机制。详细讨论了这种压缩迭加态的量子统计性质及压缩特性。  相似文献   
66.
激光调Q CAI   总被引:4,自引:3,他引:1  
从激光调Q速率方程出发,分析推导了激光调Q过程中,腔内光子数与工作物质内反转粒子数间的关系.再根据激光调Q的过程中,对腔Q值控制方式不同,将激光调Q技术分为:转镜调Q、声光调Q、电光调Q、饱和吸收调Q和脉冲透射式调Q.用C语言进行了激光调Q CAI软件的开发研制,获得了将文学、图形、动画和计算融为一体的,直观而生动地将调Q的理论和过程再现于屏幕的CAI课件.介绍了课件的内容、结构及其特点.  相似文献   
67.
叶栅全三维粘性反问题的数值解   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文发展了一种解叶栅全三维粘性反问题的新的数值方法.基于非正交曲线坐标与相应的非正交速度分量下完全守恒型的Navier-Stokes方程,全三维反问题规定叶片表面的无量纲压力分布反求叶型。计算中叶片表面的边界条件采用一种特殊的方式来处理,即一方面强加给定的压力分布条件,另方面叶面的几何位置在迭代过程中又是可移动的,其移动速度将与Navier—Stokes方程在当地的解联系起来,从而形成一种解定常问题的新的不定常过程.试算证明了本文方法的可行性。  相似文献   
68.
For the first time, the surface metal on nonalloyed ohmic electrodes is found to significantly change the profiles of gate grooves, when resist openings are employed to monitor drain current during wet-chemical gate recess for sub-micron InAlAs/lnGaAs heterojunction field-effect transistors (HFETs). The surface metal of Ni enhances the etching rate in comparison with that in the absence of electrodes by a factor of 4 and 10, laterally and vertically, which is favorable to fabricate deep gate grooves with small side etching. The Pt surface metal, however, leads to preferential etching of InGaAs over InAlAs, which can be useful to realize large side etching. The existence of an electrochemistry-related etching component, which arises when the ohmic electrodes are present during recess etching, is considered to be responsible for these behaviors  相似文献   
69.
To provide authentication to the Diffie-Hellman key exchange, a few integrated key exchange schemes which provide authentication using the DSA signature have been proposed in the literature. In this letter we point out that all of the previous Diffie-Hellman-DSA schemes do not provide security against session state reveal attacks. We also suggest a strong Diffie-Hellman-DSA scheme providing security against session state reveal attacks as well as forward secrecy and key independence  相似文献   
70.
New photocrosslinkable maleimide copolymers have been synthesized by the attachment of a tricyanopyrrolidene‐based chromophore. The 2‐(3‐cyano‐4‐(2‐{4‐[hexyl‐(6‐hydroxy‐hexyl)‐amino]‐phenyl}‐vinyl)‐5‐oxo‐1‐{4‐[4‐(3‐oxo‐3‐phenyl‐propenyl)‐ phenoxy]‐butyl}‐1,5‐dihydro‐pyrrol‐2‐ylidene)‐malononitrile chromophore exhibits nonlinear optical activity and contains a chalcone moiety that is sensitive to UV light (λ = 330–360 nm) for crosslink formation. The maleimide monomers have also been functionalized with chalcone moieties. The resultant copolymers exhibit great processability, and one of them shows a maximum electrooptic coefficient of 90 pm/V at 1300 nm. We could control the thermal stability of the electrooptic coefficient with the newly synthesized photoreactive copolymers successfully. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 45: 531–542, 2007  相似文献   
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