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Raman scattering studies were performed on hot-wall chemical vapor deposited (heteroepitaxial) silicon carbide (SiC) films grown on Si substrates with orientations of (1 0 0), (1 1 1), (1 1 0) and (2 1 1), respectively. Raman spectra suggested that good quality cubic SiC single crystals could be obtained on the Si substrate, independent of its crystallographic orientation. Average residual stresses in the epitaxially grown 3C-SiC films were measured with the laser waist focused on the epilayer surface. Tensile and compressive residual stresses were found to be stored within the SiC film and in the Si substrate, respectively. The residual stress exhibited a marked dependence on the orientation of the substrate. The measured stresses were comparable to the thermal stress deduced from elastic deformation theory, which demonstrates that the large lattice mismatch between cubic SiC and Si is effectively relieved by initial carbonization. The confocal configuration of the optical probe enabled a stress evaluation along the cross-section of the sample, which showed maximum tensile stress magnitude at the SiC/Si interface from the SiC side, decreasing away from the interface in varied rate for different crystallographic orientations. Defocusing experiments were used to precisely characterize the geometry of the laser probe in 3C-SiC single crystal. Based on this knowledge, a theoretical convolution of the in-depth stress distribution could be obtained, which showed a satisfactory agreement with stress values obtained by experiments performed on the 3C-SiC surface. 相似文献
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本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。 相似文献
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Jie Xue Liang Chen Li Zhou Zhifeng Jia Yanping Wang Xinyuan Zhu Deyue Yan 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2006,44(15):2050-2057
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006 相似文献
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1感性认识与理性认识的和谐统一 在教育理念不断更新发展的今天,有一个新的课堂环境和课堂教学理念,是每一个教育工作者自身发展的一项重要任务.特别是在高中物理学科的课堂教学中,构建人与自然的和谐统一,就要从身边的自然环境出发,立足于感性认识为本,再升华为理性认识,把二者有机结合起来,才能让学生获得一个情感与理论上的和谐统一,提高学生对物理学科的浓厚兴趣. 相似文献
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Precise measurement of magnetic moment of short-lived β-emitting nuclei12B ( I π=1+, T 1/2=20.18 ms)
Zhou Dongmei Zheng Yongnan Du Enpeng Xu Yongjun Zhu Jiazheng Yuan Daqing Wang Zhiqiang Luo Hailong Zuo Yi Ma Ruigang Duan Xiao M. Mihara M. Fukuda K. Matsuta T. Minamisono Zhu Shengyun 《中国科学G辑(英文版)》2004,47(5):531-539
The spin polarized β-emitting nuclei12B (I
π=1+,T
1/2=20.18 ms) were produced by the nuclear reaction11B(d, p)12B and by the selection technique of the incident deuteron energy and the12B recoil angle following the nuclear reaction. The nuclear magnetic moment of the short-lived nuclei12B was measured by β-NMR with the β-NMR and β-NQR setup established for the first time in China. The nuclear magnetic moment
of12B was determined to be μ=0.99993±0.00048 nm org=0.99993±0.00048 after the precise correction of the Knight shift. 相似文献
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对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献