实验数据中的坏值及剔除方法

本文对实验得出的数据采用数理统计的方法进行判断,确定测试结果的正确性;对测试结果出现的坏值应给予剔除。     

轴快流CO2激光器气体压力控制

激光切割对激光功率模式、功率密度和功率稳定性要求很高,采用轴快流CO2激光器时,控制工作气体压力工作在最佳状态并保持其恒定是激光器输出连续、稳定功率的必要条件和关键技术之一。在深入研究激光器工作原理和影响激光输出功率因素的基础上,采用带积分分离的智能PID控制算法对工作气体压力进行调节。该过程控制算法简单实用,可以有效地提高气体压力控制精度,改善功率控制精度和稳定性,并用实验加以验证。     

双面金属包覆介质波导模序数的判别方法

在双面金属包覆介质波导中 ,随着介质层厚度的变化 ,会出现TM0 模与TM1 模的分离和简并两种状态 ,从而影响衰减全反射 (ATR)谱中模序数的确认。通过对金属波导的理论分析和实验研究 ,提出了三种模序数确认方法 :本征角计算法、吸收峰全峰半宽比较法和吸收峰峰间距比较法 ,实现了两种状态下对模序数的准确判断     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

关于Z-空间的对偶空间的讨论

本文以自然的方式定义了从Z-空间X到Z-空间Y的有界线性算子的和以及它们的数乘.从而得到了与赋范空间的对偶空间理论类似的一系列结论.     

非掺杂InP的低温光致发光研究

研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV.     

一种视频信号压缩编码方法的研究

文章采用自适应预测编码加熵编码的复合编码方法，对视频信号进行压缩编码。计算机模拟结果表明，压缩比为3.5：1（2.25bits／Pixel）时可获得良好的图像质量，因此，可实现在PCM三次群信道上传输一路彩色电视信号。     

Kerr型介质界面上弱非线性TM表面波的传播特性

本文研究Ｋｅｒｒ型介质界面上弱非线性ＴＭ表面波的性质。数值计算表明了沿线性与非线性介质界面传播的ＴＭ表面波的自散焦特性。     

原生质体诱变选育去甲基金霉素高产菌

采用紫外线、同平板梯度浓度亚硝基肌，纯铜蒸气激光诱变去甲基金霉素生产菌金霉素链霉菌的原生质体，结果表明原生质体对各种诱变剂的敏感性较高.正变幅度较大.原生质体经紫外线、同平板梯度浓度亚硝墓肌复合诱变后，筛选到一菌株，重新制备原生体，经激光诱变，选育出高产菌株S. A. HU02，去甲基金霉素效价从2831u/ml提高到4337u/ml，提高了53. 2，经多次传代产量性状非常稳定.     

Thin strain-relaxed SiGe grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si_0.7Ge_0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar⁺ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe.