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研究了受外场驱动的两个二能级系统分别与两个单模量子化光场相互作用模型中纠缠演化及转移问题。该工作主要是对外场驱动的Landau-Zener模型进行了研究,采用旋转波近似的方法,通过数值计算详细分析了二能级系统初始状态、能级间的耦合常数以及驱动外场的参数对子系统间纠缠和转移特性的影响。结果表明,适当调节模型中的参数,可以使系统初始纠缠完全转移为光腔场间的纠缠,实现二能级系统与光场间的最大纠缠转移。  相似文献   
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JPC – Journal of Planar Chromatography – Modern TLC - A new high-performance thin-layer chromatographic (HPTLC) method has been developed for the simultaneous estimation of...  相似文献   
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Orthorhombic molybdenum trioxide (MoO3) is one of the most promising anode materials for sodium‐ion batteries because of its rich chemistry associated with multiple valence states and intriguing layered structure. However, MoO3 still suffers from the low rate capability and poor cycle induced by pulverization during de/sodiation. An ingenious two‐step synthesis strategy to fine tune the layer structure of MoO3 targeting stable and fast sodium ionic diffusion channels is reported here. By integrating partially reduction and organic molecule intercalation methodologies, the interlayer spacing of MoO3 is remarkably enlarged to 10.40 Å and the layer structural integration are reinforced by dimercapto groups of bismuththiol molecules. Comprehensive characterizations and density functional theory calculations prove that the intercalated bismuththiol (DMcT) molecules substantially enhanced electronic conductivity and effectively shield the electrostatic interaction between Na+ and the MoO3 host by conjugated double bond, resulting in improved Na+ insertion/extraction kinetics. Benefiting from these features, the newly devised layered MoO3 electrode achieves excellent long‐term cycling stability and outstanding rate performance. These achievements are of vital significance for the preparation of sodium‐ion battery anode materials with high‐rate capability and long cycling life using intercalation chemistry.  相似文献   
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Unreliable mobility values, and particularly greatly overestimated values and severely distorted temperature dependences, have recently hampered the development of the organic transistor field. Given that organic field‐effect transistors (OFETs) have been routinely used to evaluate mobility, precise parameter extraction using the electrical properties of OFETs is thus of primary importance. This review examines the origins of the various mobilities that must be determined for OFET applications, the relevant extraction methods, and the data selection limitations, which help in avoiding conceptual errors during mobility extraction. For increased precision, the review also discusses device fabrication considerations, calibration of both the specific gate‐dielectric capacitance and the threshold voltage, the contact effects, and the bias and temperature dependences, which must actually be handled with great care but have mostly been overlooked to date. This review serves as a systematic overview of the OFET mobility extraction process to ensure high precision and will also aid in improving future research.  相似文献   
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