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51.
通过保持非耗散介观LC电路的固有频率不变,而使电路参数作阶跃函数变化,就可将介观LC电路由初始的偶相干态制备到压缩偶相干态;在压缩偶相干态下,介观电路系统不仅有非经典的量子压缩效应,而且有非经典的反聚束效应.
关键词:
介观LC电路
单位阶跃函数
压缩算符
压缩偶相干态 相似文献
52.
Single-crystalline layered lithium manganese oxide nanorods were prepared via a low-temperature molten salt synthesis method. The material was investigated by a variety of techniques, including X-ray powder diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), and X-ray photoelectron spectrum (XPS). 相似文献
53.
The kinetics of the hydrolysis of p-nitrophenyl esters of three types of single-chain carboxylic acids, namely, saturated, olefinic and acetylenic, was investigated in two aquiorgano binary solvent systems, DMSO-H2O and dioxane (DX)-H2O. The ester probes used are: octanoic (C8), dodecanoic (C12) , stearic (C18) , oleic (C18-ol) , elaidic (C18-el ) and stearolic (C18-st). The order of measured CAgC values is: C18-ol>C18-el>C18>C18-st, whereas the order of decreasing magnitude of the observed hydrolytic rate constants of the monomeric species (km) is: C18>C18-el>C18-ol> C18-st. These rather unanticipated results are discussed. 相似文献
54.
This paper discusses a class of second-order derivative nonlinear Schrödinger equations which are used to describe the upper-hybrid oscillation propagation. By establishing a variational problem, applying the potential well argument and the concavity method, we prove that there exists a sharp condition for global existence and blow-up of the solutions to the nonlinear Schrödinger equation. In addition, we also answer the question: how small are the initial data, the global solutions exist? 相似文献
55.
56.
57.
超软X射线流气式正比计数管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种用于测量183~933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80~90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183~10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。 相似文献
58.
Chun Hu Ji Zhao Li G.P. Liu P. Worley E. White J. Kjar R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(2):61-63
The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process 相似文献
59.
60.
1989年发表的Bager第五图,包含关于三角形元素的35个二次规范画数之间的51个不等式通过细致的分析,本文给出了其中遗漏的12个基本不等式 相似文献