带高速电流舵DAC的直接数字频率合成器

本文给出了一种高速SiGe BiCMOS直接数字频率合成器设计。该数字频率合成器单片集成了高速DDS数字核,10位差分电流舵 DAC,串/并接口和时钟控制逻辑。芯片采用0.35μm SiGe BiCMOS标准工艺流片,工作在1GHz系统频率。测试结果显示,该DDS能够生成高达400+ MHz的捷变模拟sine波形。     

金属型场发射阵列的研究

讨论了Ｓｐｉｎｄｔ方法制作金属型ＦＥＡ工艺过程中的技术难点和相应的解决方案,最后成功地研制出场发射阵列,并实现了场发射。     

语音增强算法的FPGA实现

介绍了语音增强谱减算法的原理,设计并实现了基于FreeDev公司Altera CycloneⅡ开发板的FPGA语音增强谱减算法片上实时系统。系统使用Altera提供的SOPC Builder及IP核进行硬件系统设计,在NiosⅡIDE开发环境下编写软件工程。实验结果表明,采用FPGA实现语音增强算法系统是有效的。     

超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET

本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽：氧化物槽位于漂移区,一个槽栅嵌入氧化物槽,另一个槽栅延伸到埋氧层。首先,双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp;其次,氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而减小元胞尺寸,增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时,它的击穿电压为93V,Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比,在相同的BV下,DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。     

Ad hoc按需路由中路径压缩技术的稳定性组件

通过建立动态路径压缩模型得出概率意义上实时动态化的路由稳定期,提出路径压缩技术的稳定性组件SMPC.SMPC分别采用基于GPS的SMPC-ES和基于压缩覆盖区的压缩请求策略的SMPC-MS降低短暂缩减和多次缩减的概率,有效抑制了路径压缩的盲目性,提高了路径稳定性.仿真表明,采用SMPC的路径压缩算法在与传统按需路由协议和路径压缩算法的性能比较中,具有低控制负载和端到端时延等特点,是一种通用和高效的移动ad hoc网络路径压缩技术稳定性组件.     

半导体激光对蝗虫与其寄主植物组织热效应的分析比较

为比较半导体激光对蝗虫与其寄主植物组织的生物热效应差异,为激光杀灭蝗虫提供理论依据.选取808nm连续激光对东亚飞蝗幼虫与营养期狗尾草植物进行辐照效应理论研究,建立了激光照射下生物组织热作用的二维数学模型,采用Matlab有限元数值分析方法求解了Pennes生物传热方程,得到了组织内部温度随激光辐照时间和组织空间位置的分布规律.数值分析结果表明,对于蝗虫与植物组织,温度分布有着同样的规律,但温度沿着径向比轴向扩散范围广.在相同的激光辐照条件下,植物组织的温升不明显,保持在初始温度水平;蝗虫组织的温升则远远高于植物组织.     

咪唑类氮氧自由基的ESR波谱的酸度相关性-pH自旋探针应用研究之一

根据咪唑类氮氧自由基的结构特性合成了一系列的pH自旅探针,其ESR波谱参数均在一定范围内与介质的酸性呈明显的相关性.可望为较精确地测量化学胶束、细胞等微观体系的pH值开辟一个新的途径.本文研究了灵敏变化的pH范围与取代基的关系,得到了5种自旅探针的ESR参数-pH曲线、pKa值以及Hanmmett相关图,分析了如何通过改变取代基合成出不同pH变化范围并适用于不同生物和化学体系的pH自旅探针,最终达到付诸应用的目的.     

基于全息液晶/聚合物光栅的分布反馈式激光器的波长调谐特性研究

首先制备了不同周期的染料掺杂全息液晶/聚合物光栅并进行激光抽运实验, 得到了激光器的调谐曲线,确定了激光器在574 nm到685 nm的谱带里均可以实现激光输出, 即激光器具有110 nm左右的可调谐范围. 之后, 通过温控仪控制样品的温度, 对周期为610 nm的染料掺杂全息液晶/聚合物光栅进行激光抽运, 探测不同温度下的输出激光光谱, 观察到随着温度由20℃升高到65℃, 激光器的中心波长由627.9 nm减小到623 nm, 产生了4.9 nm的波长蓝移.     

铜铟镓硒太阳能电池多层膜的结构分析

对于溅射后硒化和共蒸发等方法制备的铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池薄膜,利用多种分析方法研究了CIGS多层膜的复杂结构等．研究表明：卢瑟福背散射（RBS）在分析CIGS多层膜方面具有其独特优势和可靠的结果;溅射后硒化方法制备的CIGS薄膜中,Ga和In在CIGS薄膜中呈梯度分布,这种Ga表层少而内层多的不均匀分布与Mo层没有必然关系;RBS和俄歇电子能谱分析（AES）均显示CIGS太阳能电池器件多层膜界面处存在扩散,尤其是CdS与CIGS,Mo与CIGS的界面处;X射线荧光（XRF）结果表明,电池效率最高的CIGS层中In,Ga比例为In：Ga=0．7：0.3;X射线衍射（XRD）结果显示：退火后的CIGS／Mo薄膜结晶品质得到了优化．     

Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling

<正>A 240-nm thick Al_0.4In_0.02Ga_0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire（0001）.Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(x_min= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal（1213） axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion e_T,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed （e_T=0）.