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2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级0.35μmCMOS限幅放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
104.
通过对现代海上电子战特点深刻探讨。分析了现代海战条件对舰船电子战对抗能力需求。并对现代舰船电子战综合对抗系统所采用的新技术情况进行探讨。 相似文献
105.
建立了音叉-探针-样品系统机械振动方程和电子学振荡方程,并得到其振动特性的解析表达式,进一步得到等效电路的电子学特性,进而系统分析了压电石英音叉的控制探针与样品(T-S)间距离的作用机制及其机电特性。为探针-样品间距控制方法提供了依据。 相似文献
106.
多跳无线网路由协议研究进展 总被引:13,自引:0,他引:13
移动计算和无线通信的飞速发展为无线网络的应用开辟了美好前景.作为一种没有基础设施的无线网络,多跳无线网在战场、紧急救援等场合具有得天独厚的优势。多跳无线网路由协议的主要作用是监控网络拓扑变化、交换路由信息、产生和维护路由,它是目前的研究热点之一。本介绍了该领域的研究进展,首先叙述多跳无线网的8个特点及其对路由协议的7个要求.然后描述21种路由协议的原理并比较它们的特性,最后阐述了10个研究方向。 相似文献
107.
ULSI中的铜互连线RC延迟 总被引:2,自引:0,他引:2
随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展,互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高,同时考虑到电迁移和功率损耗,人们开始寻找新的互连材料;低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能,主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。 相似文献
108.
热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射 总被引:6,自引:2,他引:6
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备出高质量的纳米氧化锌 (Zn O )薄膜 .X射线衍射 (XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .90 0℃氧化样品的光致发光 (PL )谱中 ,在波长为 3.3e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn O薄膜的高质量结晶 .在受激发射实验中观察到紫外激光发射 . 相似文献
109.
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提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析. 相似文献