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132.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
133.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
134.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
135.
136.
Modeling and CW operation of a quasi-three-level 946 nm Nd: YAG laser 总被引:18,自引:0,他引:18
A model is developed for an end-pumped quasi-three-level laser with population in the lower laser level at equilibrium such as for transitions to the manifolds4I9/2 in Nd3+,4I15/2 in Er3+,5I8 in Ho3+and3H6 in Tm3+. It is shown that the effect of residual lower laser level population on laser operation can be treated as a saturable loss. Room temperature operation on the4F3/2 -4I9/2 transition in Nd:YAG under CW dye laser pumping has been demonstrated with a threshold as low as 11.5 mW incident power and a slope efficiency of 7 percent with 0.3 percent output coupling. Performance is limited by the low output coupling and diffraction loss. 相似文献
137.
138.
5‐Amino‐4‐methyl‐2‐phenyl‐6‐substitutedfuro[2,3‐d]pyrimidines ( 2a‐c ) were reacted with 2,5‐dimethoxytetrahydrfuran to afford the pyrrolyl derivatives 3a‐c . Compound 3a was chosen as intermediate for the synthesis of poly fused heterocycles incorporated furopyrimidines moiety 4–11 . Some of the synthesized compounds were screened for their antibacterial and antifungal activities. 相似文献
139.
现有的虚拟专用网(VPN)方案大多基于IP协议,这种结构的VPN在数据包转发速度、扩展性、服务质量等方面都存在欠缺,所以本文提出了基于多协议标记交换(MPLS)骨干网络的VPN解决方案.由于MPLS和IPSec在身份认证方面都没有定义,所以我们在方案中把认证中心(CA)的证书管理引入进来.该方案的核心思想是:利用MPLS在传输效率上的优势,通过CA进行身份认证、IKE协议[1]进行密钥协商以及IPSec协议[2]进行数据包加密,从而在MPLS骨干网络上建立一个安全高效的VPN.本文对实现MPLS VPN的每个关键部件都做了进一步的描述. 相似文献
140.
本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高VGS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下. 相似文献