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991.
Synchronous Growth of High‐Quality Bilayer Bernal Graphene: From Hexagonal Single‐Crystal Domains to Wafer‐Scale Homogeneous Films
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Jun Wu Junyong Wang Danfeng Pan Yongchao Li Chenghuan Jiang Yingbin Li Chen Jin Kang Wang Fengqi Song Guanghou Wang Hao Zhang Jianguo Wan 《Advanced functional materials》2017,27(22)
The precise control of the domain structure, layer thickness, and stacking order of graphene has attracted intense interest because of its great potential for nanoelectronics applications. Much effort has been devoted to synthesize semiconducting Bernal (AB)‐stacked bilayer graphene because of its tunable band structure and electronic properties that are unavailable to single‐layer graphene. However, fast growth of large‐scale bilayer graphene sheets with a high AB‐stacking ratio and high mobility on copper poses a tremendous challenge, which has to overcome the self‐limiting effect. This study reports a low‐cost but facile method to rapidly synthesize bilayer Bernal graphene by atmospheric pressure chemical vapor deposition using polystyrene as the feedstock. The bilayer graphene grains and continuous film obtained are of high quality and exhibit field‐effect hole mobilities as high as 5700 and 2200 cm2 V?1 s?1 at room temperature, respectively. In addition, a synchronous growth mechanism of bilayer graphene is revealed by monitoring the growth process, resulting in a high surface coverage of nearly 100% for a near‐perfect AB‐stacking order. This new synthesis route is significant for industrial application of bilayer graphene and investigation of the growth mechanism of graphene by the chemical vapor deposition process. 相似文献
992.
993.
本文主要介绍了差压变送器的工作原理、常用的三种测量应用方式、主要安装方法及注意事项,直观判断法、仪表检测法诊断差压变送器测量回路的应用故障,并重点对导压管堵塞、泄漏,平衡泄漏、气体流量测量导压管积液等问题引起的故障现象进行了重点分析. 相似文献
994.
995.
A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A four-section LH NLTL which has a layout of 5.4×0.8 mm~2 was fabricated on GaAs semi-insulating substrate. With 20-dBm input power,the doubler obtained 6.33 dBm peak output power at 26.8 GHz with 24-43 GHz—6 dBm bandwidth.The experimental results were quite consistent with the simulated results.The compactness and the broad band characteristics of the circuit make it well suit for GaAs RF/MMIC application. 相似文献
996.
997.
利用传统陶瓷工艺制备了掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT),CaCO3和Mn(NO3)2的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(Bi0.5Na0.5)xBa1–xTiO3-yCaCO3-0.000 2Mn(NO3)2(x=0.005,0.020,0.040,0.080;y=0,0.02,0.04,0.06,0.08),研究了BNT和CaCO3的掺杂量对所制陶瓷微观结构和导电特性的影响。结果表明:试样的晶格常数比c/a、居里温度tC以及室温电阻率ρ25均随着BNT掺杂量的增加而增大;CaCO3的加入能有效降低样品的室温电阻率。当x=0.080,y=0.06时所制得材料的性能最好,其室温电阻率为7×102.cm,居里温度高于150℃,升阻比(ρmax/ρmin)达到103。 相似文献
998.
基于55nm CMOS工艺,设计了一种具有宽动态范围的2.5Gb/s光接收机模拟前端电路。作为光接收机的输入级电路,为了获得低噪声和高灵敏度性能,跨阻放大器(TIA)基于三级反相器级联结构,同时采用双自动增益控制(DAGC)电路来扩大输入信号的动态范围。为了提高增益,引入后置放大器,包括电平转换电路和三级差分放大电路,同时利用电容简并的方法来进一步拓展带宽,最后进行缓冲器输出。测试结果表明,在误码率为10-12的情况下,光接收机的输入灵敏度为-26dBm,过载光功率为3dBm,动态范围达到29dBm。光接收机在3.3V供电电压下,电流功耗为36mA,整体芯片面积为1176μm×985μm。 相似文献
999.
在对传统的重要物品管控和引进RFID技术后的重要物品管控存在的问题、难点分析基础上,提出了重要物品管控的区域定位概念和重要物品安全确认方法的一种新的管控技术.文中根据区域定位概念,结合实际场景说明了如何对不同场所进行区域划分,明确阐述了重要物品安全的确认方法.成都三零瑞通移动通信有限公司利用新管控技术研发了重要物品管控系统,文中对管控系统组成、各设备的部署要求和功能进行了详细介绍,并总结出重要物品管控系统的特点.通过管控系统及应用拓展说明新管控技术不仅可切实解决在重要物品管控中存在的问题和难点,还可在其他管控应用中大力推广. 相似文献
1000.
Contourlet变换在可见光与红外图像融合中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
Contourle变换是一种新的图像多尺度,多方向的表示方法,适合表达具有丰富细节信息及方向信息的图像。它的高频方向子带,捕获了许多传感器图像的显著特征。为了实现红外与可见光图像的融合,采用一种基于Contourlet变换的融合算法,对不同的融合规则对低频子带和多方向的高频子带系数进行融合。对比实验结果表明,在此提出的方法可以获得较好的融合效果,优于基于小波变换的图像融合算法。 相似文献