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801.
802.
Global Existence and Exponential Stability of Smooth Solutions to a Full Hydrodynamic Model to Semiconductors 总被引:1,自引:0,他引:1
We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established
and the exponential stability of the solutions as is investigated.
Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002 相似文献
803.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
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荧光光谱法研究蛋白质构象的电磁-温度协同效应 总被引:1,自引:1,他引:0
长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注,近年来从各个角度进行了相关研究。电磁-温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究,发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性,而且这种变性也遵循Arrhenius规律,并进一步得出电磁-温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁-温度协同效应,并对非热效应作了一定的探讨。 相似文献
806.
Wang Yongqian Liao Xianbo Diao Hongwei Cheng Wenchao Li Guohua Chen Changyong Zhang Shibin Xu Yanyue Chen Weide Kong Guanglin 《中国科学A辑(英文版)》2002,45(10):1320-1328
A set of a-SiOx:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature
of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering,
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are
structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H and SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated.
The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that
the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded
in turn by the subshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2. 相似文献
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1 IntroductionForsolvingstiffinitialvalueproblemsforsystemsofODEsy′=f(y) ,y(t0 ) =y0 ,t0 <t≤T ,y0 ,y∈Rm,f :Ω Rm →Rm (1 .1 )manyparticularone blockmethodsoftheformYn+1= AYn+h( B0 F(Yn) + B1F(Yn+1) ) , A =A Im, Bi=Bi Im,A ,Bi∈Rr×r,Yn =(YTnr,… ,yT(n+1)r- 1) T,F(Yn) =(fT(ynr) ,… ,fT(y(n+1)r- 1) ) T,yj≈ y(tj) ,… 相似文献
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809.
810.
采用反应射频磁控溅射方法,在Si (100) 基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用 原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度 对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱 和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示, 在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500 ℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范 围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时 ,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不 同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对 紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因 素.
关键词:
ZnO薄膜
表面形貌
微观结构
光学常数 相似文献