全文获取类型
收费全文 | 115920篇 |
免费 | 19239篇 |
国内免费 | 12410篇 |
专业分类
化学 | 61501篇 |
晶体学 | 919篇 |
力学 | 5752篇 |
综合类 | 513篇 |
数学 | 10131篇 |
物理学 | 37238篇 |
无线电 | 31515篇 |
出版年
2024年 | 504篇 |
2023年 | 3060篇 |
2022年 | 3687篇 |
2021年 | 4618篇 |
2020年 | 4765篇 |
2019年 | 4185篇 |
2018年 | 3763篇 |
2017年 | 3597篇 |
2016年 | 5220篇 |
2015年 | 5476篇 |
2014年 | 6523篇 |
2013年 | 8305篇 |
2012年 | 9954篇 |
2011年 | 10023篇 |
2010年 | 7025篇 |
2009年 | 7042篇 |
2008年 | 7559篇 |
2007年 | 6676篇 |
2006年 | 6410篇 |
2005年 | 5342篇 |
2004年 | 3762篇 |
2003年 | 3126篇 |
2002年 | 2870篇 |
2001年 | 2466篇 |
2000年 | 2315篇 |
1999年 | 2652篇 |
1998年 | 2302篇 |
1997年 | 2129篇 |
1996年 | 2081篇 |
1995年 | 1768篇 |
1994年 | 1565篇 |
1993年 | 1294篇 |
1992年 | 1165篇 |
1991年 | 976篇 |
1990年 | 757篇 |
1989年 | 570篇 |
1988年 | 446篇 |
1987年 | 353篇 |
1986年 | 354篇 |
1985年 | 290篇 |
1984年 | 181篇 |
1983年 | 130篇 |
1982年 | 112篇 |
1981年 | 66篇 |
1980年 | 49篇 |
1979年 | 21篇 |
1976年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
1957年 | 31篇 |
1922年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
811.
Provision of Quality‐of‐Service (QoS) guarantees is an important and challenging issue in the design of integrated‐services
packet networks. Call admission control is an integral part of the challenge and is closely related to other aspects of networks
such as service models, scheduling disciplines, traffic characterization and QoS specification. In this paper we provide a
theoretical framework within which call admission control schemes with multiple statistical QoS guarantees can be constructed
for the Generalized Processor Sharing (GPS) scheduling discipline. Using this framework, we present several admission control
schemes for both session‐based and class‐based service models. The theoretical framework is based on recent results in the
statistical analysis of the GPS scheduling discipline and the theory of effective bandwidths. Both optimal schemes and suboptimal
schemes requiring less computational effort are studied under these service models. The QoS metric considered is loss probability.
This revised version was published online in June 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
812.
时分复用倍乘光脉冲重复率的新型光纤耦合器环状连接法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
提出并详细分析了一种基于时分复用技术倍乘光脉冲重复率的方法:在2×2光纤耦合器的一个输入口与一个输出口间,接入时延为脉冲列半周期奇数倍的一段光纤使之形成环状连接循环耦合,而在另一输出口获得光脉冲。详细分析了该系统中光纤耦合器耦合比、插入损耗、时延光纤长度的要求,偏差的影响及其调节法,给出了理论公式、结果的计算机模拟与实验介绍;与经典的马赫陈德尔干涉仪接法及近年提出的Sagnac环接法进行了比较。该方法特别适用于对窄脉冲列进行串接复用实现重复率的多次倍乘,从而得到数千兆赫至上百千兆赫的高重复率光脉冲 相似文献
813.
I. Ortalli G. Pedrazzi K. Jiang X. Zhang C. Carlo-Stella V. Rizzoli 《Il Nuovo Cimento D》1992,14(4):351-358
Summary A new approach to cancer treatment using low-energy gamma-rays is discussed. Cultures of bone marrow mononuclear cells collected
from normal donors and patients with chronic myelogenous leukaemia have been studied after the addition of hematin, at different
concentrations, and irradiation by a M?ssbauer gamma-ray source. Growth stimulation has been observed when hematin is added
to normal bone marrow cultures, while growth inhibition is observed when hematin is added to leukaemic cultures. The effect
becomes then more pronounced when hematin is used in combination with M?ssbauer gamma-rays. 相似文献
814.
815.
用三维样边界元法分析水闸闸室结构。底板,闸墩和载水墙等为其子结构,交通桥,工作桥和胸墙等处理为内部支撑。地基和边载可以是任意的,只要能给定地表位移面力关系。在各种工况下,不论是设置平板门还是弧形门,是平底板是反拱底板,即使在稀疏剖分下也能给出高精度的位移场,应力场和地基反力场。 相似文献
816.
817.
VPDN企业端解决方案 总被引:1,自引:0,他引:1
从虚拟专用拨号网(VPDN)结构的基本原理、隧道协议、认证方式等方面概述了中国联通开展VPDN业务的实施步骤和解决VPDN企业端的5种模式,并介绍了中国石油天然气管道电信公司实现VPDN企业端的具体方案。 相似文献
818.
819.
Xiangdong Xu Hockleong Kweh Zhengcao Zhang Zhihong Liu Wei Zhou Wei Zhang Peixin Qian 《Applied Surface Science》2006,252(20):7594-7598
Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si0.7Ge0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar+ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe. 相似文献
820.
B. Zhang S. D. Yao K. Wang D. B. Ding Beijing P.R. China Beijing P.R. China Beijing P.R 《Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry》2006,269(1):9-13
Summary Department of Technical Physics, School of Physics, Peking Unive 相似文献