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801.
本文基文献 [1]的思路 ,详细论述了利用遗传算法解决有风险控制的最优资产组合问题的具体实现过程 .并论证了用浮点数的方法表示的最优保存遗传算法的全局收敛性 相似文献
802.
803.
Global Existence and Exponential Stability of Smooth Solutions to a Full Hydrodynamic Model to Semiconductors 总被引:1,自引:0,他引:1
We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established
and the exponential stability of the solutions as is investigated.
Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002 相似文献
804.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
805.
806.
荧光光谱法研究蛋白质构象的电磁-温度协同效应 总被引:1,自引:1,他引:0
长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注,近年来从各个角度进行了相关研究。电磁-温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究,发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性,而且这种变性也遵循Arrhenius规律,并进一步得出电磁-温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁-温度协同效应,并对非热效应作了一定的探讨。 相似文献
807.
Wang Yongqian Liao Xianbo Diao Hongwei Cheng Wenchao Li Guohua Chen Changyong Zhang Shibin Xu Yanyue Chen Weide Kong Guanglin 《中国科学A辑(英文版)》2002,45(10):1320-1328
A set of a-SiOx:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature
of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering,
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are
structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H and SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated.
The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that
the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded
in turn by the subshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2. 相似文献
808.
1 IntroductionForsolvingstiffinitialvalueproblemsforsystemsofODEsy′=f(y) ,y(t0 ) =y0 ,t0 <t≤T ,y0 ,y∈Rm,f :Ω Rm →Rm (1 .1 )manyparticularone blockmethodsoftheformYn+1= AYn+h( B0 F(Yn) + B1F(Yn+1) ) , A =A Im, Bi=Bi Im,A ,Bi∈Rr×r,Yn =(YTnr,… ,yT(n+1)r- 1) T,F(Yn) =(fT(ynr) ,… ,fT(y(n+1)r- 1) ) T,yj≈ y(tj) ,… 相似文献
809.
810.