多元线性回归应用于近代物理实验

本文介绍非线性方程转化直线性方程和多元线性回归法来分析近代物理实验中塞曼效应分裂干涉圆环多处选点测量的处理过程。     

不同方法制备的CO2-3替换磷灰石固溶体晶体化学的FTIR研究

采用不同方法制备了CO2-3替换的磷灰石固溶体,利用FTIR结合XRD对其进行了晶体化学研究,结果表明均相沉淀法制备的碳羟磷灰石(CHAP)属B型替换且替换方式是[CO3·OH]四面体替换[PO4]四面体;固相离子交换法制备的CHAP属A型替换且替换方式是[CO3]三角形配位体替换通道位置的OH-;固相反应法制备的碳氟磷灰石(CFAP)属B型替换,其替换方式是[CO3·F]四面体替换[PO4]四面体;sol-gel法制备的CHAP属AB混合型替换,其Ψ3分裂为Ψ3-1,Ψ3F,Ψ3-4.高斯函数法拟合表明Ψ3F峰是A型替换的Ψ3-2与B型替换的Ψ3-3的叠合.当WCO2-3＜3.34%时,随CO2-3含量增加,A型替换量增大,且当WCO2-3=3.34%时达最大值,当3.34%＜WCO2-3＜7.52%时,随CO2-3含量增加,B型替换量增大,且当WCO2-3= 7.52%时亦到饱和.     

彩色透明微晶玻璃的吸收光谱

在Li2O-Al2O3-SiO2系统玻璃中掺入少量晶核剂TiO2,ZrO2,P2O5，再掺入稀土离子和过渡金属离子作为着色剂，在高温下溶制得到彩色透明玻璃，对上述玻璃进行微晶化处理，用差热分析（DTA）确定其晶化温度，测定与讨论了所获彩色透明微晶玻璃在紫外波段至近红外波段的吸收光谱特性，研究结果表明，玻璃微晶化后，由于基质玻璃对光的微弱散射，引起吸收的增强，但不改变稀土离子和过渡金属离子的本征吸收峰位。     

最优保存遗传算法在最优资产组合计算中的应用

本文基文献 [1]的思路 ,详细论述了利用遗传算法解决有风险控制的最优资产组合问题的具体实现过程 .并论证了用浮点数的方法表示的最优保存遗传算法的全局收敛性     

多功能半导体激光医疗仪电源的研制

根据“多功能半导体激光医疗仪”整机的要求,采用同一电源对667nm和808nm半导体激光器实施供电。为避免电源在开、关机时对半导体激光管产生浪涌冲击,电源在设计中采用了适当的逻辑功能。并可保证对667nm激光器供电时,即使打开808nm激光器供电开关,也不对808nm半导体激光器供电,反之亦然。电源设有手动、计算机两种控制方法,及恒定功率、电流两种工作方式。     

Global Existence and Exponential Stability of Smooth Solutions to a Full Hydrodynamic Model to Semiconductors

 We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established and the exponential stability of the solutions as is investigated. Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002     

高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

微型热驱动热声热机热端换热器的优化设计

该文基于热声环境,采用厘米级扁管和deltaE数值计算对微型热声换热器进行了优化设计。     

荧光光谱法研究蛋白质构象的电磁-温度协同效应

长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注，近年来从各个角度进行了相关研究。电磁－温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究，发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性，而且这种变性也遵循Arrhenius规律，并进一步得出电磁－温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁－温度协同效应，并对非热效应作了一定的探讨。     

Microstructure of a-SiOx:H

A set of a-SiO_x:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si₂O:H, SiO:H, Si₂O₃:H and SiO₂ that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by the subshells of Si₂O:H, SiO:H, Si₂O₃:H, and SiO₂.