超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

交通诱导室外LED显示屏有关问题之浅见

本文探讨了智能交通系统中交通诱导室外LED显示屏的使用功能,对交通诱导室外LED显示屏在实际应用中的有关问题发表了认识和看法。     

跳时超宽带无线电的性能分析

超宽带脉冲无线电是无线通信领域的一种全新技术,有着广阔的应用前景.它是一种基带无载波短脉冲,不同于使用正弦载波的传统通信系统.本文用满足FCC频谱规划的脉冲--高斯脉冲的五阶导数推导了TH-BPSK方式下的跳时超宽带扩频系统的误码与多址性能,并研究了多径对其性能的影响,比较了TH-BPSK 与TH-PPM系统性能,分析结果表明TH-BPSK的性能(未考虑多径)明显优于TH-PPM,但是TH-PPM抗多径性能优于TH-BPSK.     

含氟碳菁染料聚集行为的研究

本文对五种不同结构的含氟碳菁染料的甲醇溶液及吸附在碘溴化银T 颗粒表面的聚集行为进行了研究 ,测定了照相性能 ,计算了增感倍率。Dye1 ,Dye2 ,Dye3在甲醇溶液中测得的单分子态吸收曲线 ,当取代基从C2 H5→CH3→无取代基时 ,最大吸收峰对应的波长向短波方向移动 ;乙基取代基的增感染料 (Dye1 )吸附在碘溴化银表面形成的J 聚集态峰值较高 ,对应的增感倍率也高。没有取代基的增感染料 (Dye3)不形成J 聚集 ,增感倍率低 ,有减感作用。Dye4与Dye5相比 ,Dye4具有尖而窄的J 聚集反射光谱 ,增感倍率高。结果表明 :不同结构的增感染料吸附在卤化银颗粒上形成的J 聚集态不同 ,吸收谱带窄的J 聚集态增感染料具有较高的增感倍率。     

FI代数的滤子

研究FI代数的滤子理论，建立F滤子、P滤子、Q滤子、C滤子之间的联系．     

基于非锐化掩模的实时自适应图像增强算法

针对传统的非锐化掩模算法的局限性,依据图像中各像素点及以其为中心的若干相邻像素点的均方差值,提出了自适应图像增强算法的原理,并分析其硬件实现方法,然后给出了该算法与其它算法应用于图像增强的对比结果,最后在FPGA（field programmable gate array）实验板上进行验证.实验结果表明,此算法有效的增强图像的细节区域,防止图像边缘区域出现过冲现象,抑制图像平坦区域的噪声放大.因此,该算法取得了良好的视觉效果,硬件实现简单,适合于实时条件下图像的增强.     

电控平行排列液晶光栅的光衍射特性研究

对电控平行液晶光栅的理论进行了分析,并配以结构原理图。通过对平行排列及90°扭曲排列液晶指向矢的计算,得出液晶盒中相应的折射率、相位差与电压之间的关系图,两者经比较证明平行排列更具适用性,并在实验中观测到了平行排列液晶光栅衍射特性与电压的关系。     

绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

Measurement of the First Hyperpolarizability of Substituted Ketene N，S－acetals by Hyper－Rayleigh Scattering in Solution

ＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅＦｉｒｓｔＨｙｐｅｒｐｏｌａｒｉｚａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄＫｅｔｅｎｅＮ，Ｓ－ａｃｅｔａｌｓｂｙＨｙｐｅｒ－ＲａｙｌｅｉｇｈＳｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎＳｏｌｕｔｉｏｎＧＡＯＸｉｎｇｙｕ；ＣＨＥＮＪｉｎｇｂ...     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.