采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.     

硅多晶质量检测分析中的磷检电阻率曲线研究

本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证.采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用.     

基于区域能量特征的小波变换图像融合方法研究

本文提出了一种新的基于区域能量特征的小波变换图像融合方法,在对高频部分进行融合前,先将高频信息进行适当的放大,然后再采用基于区域能量特征的图像融合方法。通过仿真实验表明,该融合方法弥补了传统的基于区域能量特征的小波变换融合中出现的信息熵减小,清晰度降低的现象,验证了该方法的有效性。     

基于小波方向相关性的图像融合方法

通过分析图像经小波变换后低频系数的邻域相关性和各高频子带的区域方向性,本文提出一种基于小波方向相关性的图像融合方法.对低频子带的每个系数,以多向梯度模作为其自相关性的衡量标准,确定融合后低频系数;对于各个高频子带的系数,根据其不同的方向特性,采用基于方向相关系数的融合规则.最后通过对比仿真实验,验证本文方法的有效性.     

基于FPGA的胶囊内窥镜图像采集系统

为了提高胶囊内窥镜的图像帧率,研制了一种基于FPGA的胶囊内窥镜图像采集系统。其内部包含了利用FPGA编写JPEG压缩核用于减少图像数据量。它主要由图像胶囊内窥镜,便携式图像接收器和计算机处理软件三部分组成。文中将详细讨论这三部分软硬件设计。本文完成胶囊内窥镜图像采集系统的原型系统搭建,测试结果表明原型系统达到设计要求。