304不锈钢基片用绝缘介质浆料的研制

选用BaO-Al2O3-SiO2体系微晶玻璃为主要成分,研制出适用于304不锈钢基片的介质浆料。通过丝网印刷、烘干和烧结,能够为304不锈钢基片提供可靠的介质层。介质层厚度达到70 mm以上时,其击穿电压不低于2 100 V,完全满足大功率厚膜电路对基片绝缘性能的要求。     

A note on homoclinic or heteroclinic orbits for the generalized Hénon map

An important problem in a given dynamical system is to determine the existence of a homoclinic orbit. We improve the results of Qin and Xiao [Nonlinearity, 20 (2007), 2305–2317], who present some sufficient conditions for the existence of a homoclinic/heteroclinic orbit for the generalized H´enon map. Moreover, an algorithm is presented to locate these homoclinic orbits.     

通过PLSQL发送带附件的邮件

利用UTI_SMTP协议从Oracle 8．1．6版本以上的数据库中发送电子邮件是众多Oracle数据库管理员和Oracle应用使用者感到非常棘手的问题、本文将讨论如何实现发送带附件的邮件。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

Fe2+∶ZnSe晶体制备及光学吸收

本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达φ20 mm×2.0mm的晶体样品.光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0 μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85;;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5 ×1017 cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素.     

含钨化合物催化合成己二酸研究进展

己二酸是工业上具有重要应用的二元羧酸,其合成方法的研究受到了广泛的关注.其传统的合成方法对环境造成了极大的破坏.利用含钨化合物作为催化剂催化合成己二酸是一种绿色环保的新方法,引起了人们的重视.作者介绍了近年来含钨化合物催化合成己二酸的研究进展,分析比较了不同催化剂体系的研究情况,展望了今后己二酸合成的发展前景.     

基于不锈钢基板的厚膜电路制备技术

介绍了用丝网印刷法和低温烧结绝缘带转移法制备不锈钢绝缘基板的方法,比较分析了不同方法制得的不锈钢基板的绝缘性能,以及应用于Al2O3基板的浆料与绝缘带的相容性。还进行耐热冲击和自由落体试验,研究了不锈钢基板上介质覆盖层的结合强度。     

利用B样条实现基于等高线的三维地形图

利用B样条曲线将等高线光栅图矢量化。根据B样条曲线插值公式得到等高线与纵横网格线的交点；根据这些史点的三维坐标值，利用线形插值分别得到纵横网格交点的高程，其均值作为网格变点的最终高程；最后利用OpenGL中的NURBS曲面接口生成三维地形图。该方法输入工作量小．数据存储量少。模拟效果较好。     

基于小波变换与数学形态学相结合的玻璃瓶图像边缘检测

将小波变换与基于多结构元素的数学形态学相结合的方法应用到玻璃瓶图像边缘检测中。首先利用小波变换的原理对图像做增强处理,然后利用基于多结构元素的数学形态学方法对处理后的图像进行边缘检测,最后通过实验验证方法的有效性。     

大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术

通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径.采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题.晶体生长实验和晶体的显微观察表明:YAP晶体中的弥散状散射很可能同熔体中组分的均匀性有关,通过增大晶体的直径,增强强迫对流有助于减轻晶体中的弥散状散射.高质量b轴Nd:YAP和a轴Tm:YAP晶体已分别实现二极管泵浦大于140W的1.079μm和大于10W的1.99μm激光输出.