核磁共振快速分析聚酯的组成

该文合成19个聚酯标样,利用核磁共振的多种技术,归属各聚酯酸单元和醇单元的¹H和¹³C的化学位移. 通过研究酸单元和醇单元 ¹H和¹³C化学位移的特点,得出同一种酸单元和不同的醇单元相连,其¹H和¹³C的化学位移变化不大;同一种醇单元和不同的酸单元相连也有同样的规律. 据此建立较系统的分析聚酯组成的核磁共振数据信息,利用该信息可以快速定性、定量未知聚酯的组成. 该研究结果对于未知聚酯的剖析有较大应用价值.     

一种低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器的设计

本文设计了一种可满足视频速度应用的低电压低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器.该转换器由9个低功耗运算放大器和19个比较器组成,采用1.5位/级共9级流水线结构,级间增益为2并带有数字校正逻辑.为了提高其抗噪声能力及降低二阶谐波失真,该A/D转换器采用了全差分结构.全芯片模拟结果表明,在3V工作电压下,以20MHz的速度对2MHz的输入信号进行采样时,其信噪失调比达到53dB,功率消耗为28.7mW.最后,基于0.6μm CMOS工艺得到该A/D转换器核的芯片面积为1.55mm2.     

计算器时钟切换及自动关断电路的分析与改进

时钟切换和自动关断是新一代计算器集成电路档器芯片快慢时钟切换电路,详细分析了计算器的两种关断途径,在此基础上设计了一种新的关断电路.给出了这两种电路的仿真结果,证明了改进电路的正确性和高效性.     

聚合物分散剂对氟铃脲水悬浮剂流变性质的影响

采用控制应力流变仪研究了聚合物分散剂苯乙烯丙烯酸无规共聚物（MOTAS）用量、分子量及氟铃脲质量分数等对氟铃脲水悬浮剂流变性质的影响。 结果表明,以聚合物MOTAS为分散剂制备的氟铃脲水悬浮剂的流变行为符合Herschel-Bulkley模型。 在固定氟铃脲质量分数为20%时,当分散剂质量分数≤3.0%时,流动行为指数n≤1.0,悬浮体系表现为假塑性流体,当分散剂质量分数≥3.5%时,流动行为指数n≥1.0,悬浮体系具有胀塑性流体特征。 氟铃脲水悬浮剂的流变参数屈服值τH与分散剂MOTAS和氟铃脲的加入量有关。 分散剂MOTAS质量分数≤2.5%时,分散剂在氟铃脲颗粒界面吸附很少,裸露的氟铃脲颗粒界面间相互搭接,具有较大的屈服值τH;当分散剂加入质量分数为3.0%时,分散剂可在氟铃脲颗粒界面形成饱和吸附,若再增加分散剂用量,多余分散剂在悬浮的氟铃脲颗粒间形成搭接,使其屈服值τH增大。 在MOTAS分散剂的分子量在10 000~30 000范围内时,MOTAS分子量愈大,所制得的氟铃脲水悬浮剂的表观粘度和屈服值τH愈小,流变行为指数n虽略有增加,但均小于1,没有改变“剪切变稀”的假塑性特征。     

NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发

随着嵌入式系统的迅速发展,其应用环境的广泛性、复杂性对构建于系统上的Nor和NAND闪存设备提出更高要求,需要闪存设备传输速度更快,体积更小,容量更大,稳定性更好.该文在基于Samsung公司的S3C2410处理器平台上,针对FLASH闪存设备在嵌入式系统中的应用,详细分析FLASH闪存设备的接口设计方法,并针对FLASH接口特点,提出Linux环境下NorFLASH和NandFLASH的驱动开发流程,给出详细的代码分析.该流程开发的驱动程序,代码所占空间小,执行效率高,在ARM开发板上实验达到较好效果.     

挠性电路板引脚嵌合部无铅镀层的锡须生长

以民用挠性印制电路板(FPC)引脚和连接器嵌合部无铅镀层为对象,通过研究引脚上的Ni/Sn无铅镀层的显微形貌和锡须尺寸,探讨了Ni/Sn无铅镀层的长期可靠性。结果表明,在25℃,RH为45%～55%的条件下,挠性印制电路板引脚和连接器嵌合部无铅镀层上生长的锡须呈现针状、柱状等多种不同的显微形貌,其中大部分是针状锡须,少量针状锡须的长度已超过了50μm临界值,很可能因锡须桥接引起电流泄漏和短路,对FPC互连可靠性产生威胁。抑制少量超长的针状晶须的生长,是防止风险的关键。     

高性能嵌入式UART IP核的设计

利用有限状态自动机理论[1]进行了可嵌入式UART的设计.支持AMBA 2.0 APB总线接口.采用了改进的异步FIFO,在提高传输速率的同时能够更加准确的判断出FIFO的空满状态.提出了一种新的小数分频的处理方法,操作简单,便于实现.设计通过了FPGA的仿真验证.嵌入到单板系统中,在UART时钟为12.5 M的情况下,实现了与ARM PSK系统中的UART以230 k以内的任意波特率的数据传输.试验结果证明了本设计的可行性.     

微波辅助合成发光可调ZnS∶Cu纳米晶

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用微波辐射加热方法制备了水溶性的Cu掺杂的ZnS纳米晶. 通过改变微波条件, 可以在460～572 nm之间实现对ZnS∶Cu纳米晶发射峰位的连续调控. 通过XRD、 UV-Vis、荧光及荧光衰减对ZnS∶Cu纳米晶的结构和发光性质进行了详细探索, 并利用时间分辨荧光光谱对其发光机理进行了初步研究.     

长寿命高镍无钴锂离子正极材料的制备

通过调整不同配锂量、不同焙烧温度以及包覆改性对高镍无钴二元材料性能的影响因素进行了研究。对不同原样和其改性后的材料进行了X射线粉末衍射(XRD)分析和首次充放电性能和倍率性能、循环性能等电化学性能测试。其中过锂量(质量分数)为5%,焙烧温度为820℃的材料性能优异,其首次放电比容量为171.6 mAh·g^-1,1C和3C的放电比容量分别为147.8、129.8 mAh·g^-1。对材料进行锰化合物(质量分数1.0%)包覆处理后,材料的残碱量下降明显,加工性能优异,倍率性能得到明显改善,1C和3C的放电比容量分别提升为156.5、141.8 mAh·g^-1。2Ah软包电池常温循环830周容量保持率为80%,高温循环345周容量保持率为80%。     

基于分形压缩特征的雷达目标识别研究

利用分形构形的基本理论,对雷达目标散射回波信号进行分形压缩逼近,通过分析压缩,对原始散射信号波形数据进行压缩,从而有利于目标识别．有此基础上,利用散射回波信号的分形压缩特征进行了目标识别研究．实验仿真结果证实本文方法行之有效