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961.
962.
β-PbO2纳米棒及Pb3O4纳米晶的制备与表征 总被引:7,自引:0,他引:7
利用NaClO在碱性溶液中与Pb(Ac)2进行氧化反应直接合成出直径为10-20nm、长度为400nm、长径比达20以上的纯相β-PbO2纳米棒,对所得β-PbO2在420℃下进行热解,得到晶粒尺寸为20nm左右的Pb3O4。对液相氧化反应的温度、时间、氧化剂浓度、pH等因素的影响进行了详细研究,获得了最佳合成反应条件,所得产物利用粉末X射线衍射和透射电子显微镜分析进行了表征。 相似文献
963.
964.
无水三氯化钕与环戊烷基环戊二烯钠、溴化锂(1:2:1摩尔比)反应,除去不溶物和溶剂后,产物在己烷/四氢呋喃溶剂中冷冻得到兰紫色晶体(C5H9C5H4)3NdBrLi(THF)3(配合物1)。其中心金属Nd3+的配位数为10,以η5与3个环戊二烯基相连,并通过单溴原子桥连锂原子,形成双核结构。该晶体属三斜晶系,P`1空间群。晶体学参数为a=12.048(2)、b=13.498(3)、c=13.831(3);α=104.16(3)、β=104.07(3)、γ=95.96(3); V=2083.3(7)3、Z=2、Dc=1.35Mg/m3、Mr=847.01gmol-1、F(000)=874。无水三氯化钐与环戊烷基环戊二烯钠(1:3)反应,产物在-30oC下的己烷溶剂中结晶得桔红色晶体(C5H9C5H4)3SmTHF(配合物2)。该晶体属正交晶系,Fdd2空间群。晶胞参数a=28.175(5) 、b=46.24(2)、c=9.167(4);V=11943(8)3、Z=16、Dc=1.38Mg/m3、 Mr=622.11 g·mol-1、F(000)=5136。10配位的金属Sm3+与3个环戊二烯基以η5相连,并结合一个四氢呋喃溶剂分子。 相似文献
965.
研究了簇合物[Et4N]2[Mo2(CO)8(μ-SPh)2](1)、MO2(CO)8(μ-SPh)2(2)、MO2-(CO)6(μ-SPh)2(CH3CN)2(3)、Mo2(CO)6(μ-SPh)2(PPh3)2(4)的红外和共振Raman光谱。分别对它们的特征振动频率进行了归属。研究了Mo2(CO)6(μ-SPh)2L2中L的σ给体强度和π受体强度对影响的协同效应。结果表明,在3中CH3CN的π受体强度和4中PPh3的σ给体强度对的影响起主导作用。在2、3、4中L的σ效应对的影响起主导作用。 相似文献
966.
A hydrothermal reaction of copper acetate with ammonium molybdate, 4,4'-bpy (4,4'-bipyridine) and 1,10-phen (1,10-phenanthroline) led to the formation of brown crystals of [Cu2(1,10-phen)2(4,4'-bpy)]2 [Mo8O26]@4H2O 1. Single-crystal X-ray analysis has revealed that 1 C68H56N12O30Cu4Mo8 crystallizes in the triclinic system, space group P ī with a = 11.270(3), b = 13.113(6), c = 13.906(3)A, α = 103.33(4),α = 98.54(2),β= 101.29(2)°, V = 1920.1(1)A3, Mr = 2542.9(3), Z = 1, Dc = 2.199 g/cm3, μ= 2.435 mm-1, F(000)= 1240, the final R = 0.0445, wR = 0.1082 and S = 1.021 for 5052 observed reflections with I>σ2(I).It consists of copper Ⅰ tetramer units and α-[Mo8O26]4- anions, which are further attached into a three-dimensional framework through hydrogen bonding and π-π stacking interactions. 相似文献
967.
采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12~105 Pa)的变化曲线, 阐明了受主掺杂BaPbO3的缺陷结构, 解释了材料的导电机理. 高氧分压下, Pb离子空位缺陷占主导, 电荷补偿缺陷为空穴; 随着氧分压的下降, 材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变, 受主杂质成为主导缺陷, 电荷补偿缺陷为空穴; 在低氧分压下, 电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位. 受主掺杂浓度的下降, 导致高温电导率下降, 并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动, 同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动. 相似文献
968.
The reaction of molybdenum hexacarbonyl with C6H5CH2OC6H4ONa and Et4NBr in CH3CN at 60 ℃ afforded the di-nuclear Mo(0) compound [Et4N]3[Mo2(CO)6(μ-OC6H4OCH2- C6H5)3] 1. 1 crystallizes in monoclinic, space group P21/c with a = 15.359(2), b = 18.378(3), c = 24.952(2), β = 102.268(4)°, V = 6882.3(16) 3, Mr = 1348.34, Z = 4, Dc = 1.301 g/cm3, F(000) = 2832 and μ = 0.424 mm-1. The final R = 0.0606 and wR = 0.1552 for 9396 observed reflections (I > 2σ(I)). 1 contains a [Mo2O3]3- core in triangular bi-pyramidal configuration and each Mo atom adopts a distorted octahedral geometry with three carbon atoms from carbonyls and three μ-O atoms from C6H5CH2OC6H4O- bridging ligands. The Mo…Mo distance is 3.30(8) , indicating no metal- metal bonding. A formation pathway via forming a di-molybdenum(0) di-bridging OR compound [Mo2(μ-OR)2(CO)8]2- has been figured out and the reaction of Mo(CO)6 with alkoxide has also been discussed. 相似文献
969.
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获得了In GaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明:纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70%),提高了器件的辐射复合几率和出光效率,同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度,显著降低了LED器件的漏电流(~10-7),最终提高了器件的发光效率。 相似文献
970.