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101.
针对动态电压恢复器(DVR)电压跟踪控制,将广义积分器引入DVR中,克服了传统PI控制器的缺点,实现了电压无差跟踪控制。为了得到良好的补偿效果,采用电容电流内环、电压外环控制的双环控制策略,在推导出系统传递函数的基础上,用Bode图分析了系统对参考电压的跟踪性能以及对负载电流扰动的抑制。实验结果验证了控制策略的有效性和鲁棒性。 相似文献
102.
为了研究激光冲击强化对TC17钛合金高周疲劳性能的影响,对TC17钛合金进行激光冲击强化处理,并对处理前后的试样进行了高频疲劳试验,对疲劳断口和形貌用扫描电镜和透射电镜进行了观察。7J能量激光冲击2次后,材料在300MPa下的疲劳寿命相比未处理的材料提高了近2倍;相比于母材试样,强化试样的裂纹源位于次表层深处,扩展区的疲劳条带排列更加紧密。结果表明,激光冲击强化后,试样表面强化区域产生高密度位错和位错缠结。这些缺陷能有效地阻止疲劳裂纹的萌生和扩展,进而改善TC17钛合金的高周疲劳性能。 相似文献
103.
104.
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献
105.
106.
离焦量对等离子体冲击波力学效应的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
为研究激光等离子体冲击波力学效应受入射激光及环境因素的影响,利用波长1.06μm,脉冲能量320 mJ,脉宽10 ns的Nd;YAG激光作用在Al靶上,研究了冲量耦合系数(C_m)和离焦量(Z)之间的关系。实验发现在1.01×10~5 Pa情况下,初始时C_m随Z增大而增大,到Z=-12 mm附近达到最大值;而后C_m随Z增大而减小。在4000 Pa时,C_m随Z的变化关系与1.01×10~5 Pa时相似,但峰值位置后移。离焦量不同时,由于作用激光的功率密度不同而影响等离子体屏蔽效果;光斑大小不同将影响稀疏波作用,且离焦量正负不同时激光等离子体冲击波对靶的作用机制也明显不同,这些因素决定了离焦量对等离子体冲击波力学效应的影响。 相似文献
107.
为了有效地补偿激光二极管(LD)侧向抽运1000 Hz重复率电光调QNd:YAG激光器棒状增益介质内存在的热致双折射损耗,设计了一种新颖的双调Q晶体开关复合谐振腔结构。实验结果表明,设计的双调Q晶体开关结构Nd:YAG激光器输出激光脉冲能量比单调Q晶体开关结构的非补偿腔输出能量提高了56%,当侧面抽运半导体激光器输出功率达到450 W时,激光输出达到30 mJ/pulse,输出光束偏振度优于10:1,激光脉冲宽度约14 ns。并获得6.7%的光一光转换效率。通过对双调Q开光激光谐振腔进行建模,并用求解速率方程对其特性进行理论分析,所得的计算结果与实验结果基本吻合。 相似文献
108.
109.
Boot Loader 作为 ARM 嵌入式系统的一个重要部分。对于使用不相同版本的内核的系统板,所对应的Boot Loader 也是相同,因此对每个系统板都要对其运行其所对应的Boot Loader。在此简要介绍 S3C2410 及其两种启动方式,着重分析S3C2410 从 NANDFLASH 启动的过程中,对各个内部功能模块进行初始化过程,并设计出基于 S3C2410 嵌入式系统的Boot Loader。通过在线仿真及实际测试表明,该Boot Loader 具有良好的稳定性、实时性和可移植性。 相似文献
110.