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81.
We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals. 相似文献
82.
83.
ZHU Hai-Xia YAN Shi-Lei 《理论物理通讯》2004,42(11)
We study the ferromagnetic properties of spin-1 system, which is considered in the frame of the bond dilution and random positive or negative anisotropy Blume-Capel model in the effective field theory and a cutting approximation. The investigation of phase diagrams displays some rich properties of the trajectory of tricritical point, reentrant henomena at low temperatures. Under certain both bond concentrations and random negative anisotropy, there are new transition lines of double tricritical points. So special emphasis is placed on the influence of the bond dilution and random anisotropy on phase diagrams. The magnetizations of the system are also discussed. Some results have not been evealed in previous reports. 相似文献
84.
Based on supersymmetric quantum mechanics theory, we introduced a supersymmetric unitary transfor mation to diagonalize the Hamiltonian of non-degenerate two-mode two-photon Jaynes-Cummings models which include any forms of intensity-dependent coupling, field-dependent detuning, and field nonlinearity. Its eigenvalue, eigenstates,and time evolution of state vector are obtained. 相似文献
85.
朱珉 《电气电子教学学报》2002,24(6):55-56
本文介绍由东南大学组织编写,东南大学出版社出版的《电工电子实践课程丛书》的编写背景,每本教材内容的简要内容,特色与使用情况。 相似文献
86.
87.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
88.
Cheng Lu ZHANG Xiao Lei ZHU Ying Ge MA Li Wei ZOU 《中国化学快报》2006,17(2):163-164
12-Hydroxy-13-methylpodocarpa-9, 11, 13-trien-3-one 9 was isolated from the twigs ofCroton salutaris1. Many diterpenes exhibit significant bioactivities, such as antibac-terial and antitumour and 9 has a rare structure. In order to study the relationshipb… 相似文献
89.
在传统频域均衡器的基础上,结合多载波频移键控调制方式的频谱结构,利用接收信号和参考信号的相关性及均衡器的滤波系数,提出了一种兼具均衡与解调功能的新型频域均衡器结构.该均衡器简单、有效地克服了水声信道中多径传播产生的码间干扰和频率选择性衰落等问题,简化了水声通信系统接收机的复杂度. 新型频域均衡器的解调原理以非相关解调算法为基础,但由于利用了均衡器的计算结果,其差错性能优于传统的非相关解调算法,计算机仿真试验表明,改进后的方法使差错性能提高了2 dB;实际水声通信实验表明,该均衡器能够有效地提高水声通信系统的可靠性,具有很好的应用前景. 相似文献
90.