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21.
陈永静 朱胜江 J.H.Hamilton A.V.Ramayya J.K.Hwang Y.X.Luo J.O.Rasmussen 车兴来 丁怀博 李明亮 《中国物理 C》2006,30(8):740-744
通过测量252Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对146Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对146Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好. 相似文献
22.
23.
一种基于混沌的随机数发生器设计及其IC实现 总被引:1,自引:1,他引:0
在密码学、仿真学以及集成电路测试等许多领域 ,随机数起着重要的作用。在密码学中 ,通常要求所使用的随机数具有不可预测性。基于混沌现象 ,使用开关电容技术 ,用集成电路实现了一种硬件随机数发生器。测试结果表明 ,其产生的序列具有不可预测性 ,可以满足密码学的应用要求。 相似文献
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25.
26.
Research on the Handover of a Novel Cellular Architecture in Wireless Personal Communication Systems
ZHANG Zu-fan~ 《中国邮电高校学报(英文版)》2003,10(4)
1 IntroductionHandoverbetweencellsisplayinganimportantroleincellularcommunicationsystems[1~ 1 2 ] .Thehandoverprocedureanditseffectivenessareseriouslylimitedbythecellulararchitectureasaresultofmar ketplanning .Basedonthehexagonalcellulararchi tecture,manyhandoverprocedureshavebeendis cussedandevaluated ,andmostoftheimprovementproposedonthemleadstotheintroductionofsector ingcellularorlayeredcellularmodel.Otherwise ,abetterhandoverprocedureisessentialinmaintainingacallinprogressbutitreflectshi… 相似文献
27.
Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu 下载免费PDF全文
The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics (MD) simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation. 相似文献
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29.
30.
掺杂Er^3+的TiO2的发射光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用无水乙醇、冰醋酸、钛酸丁酯凝胶法制备了掺杂Er^3+的TiO2粉末,测量了其在488m激发下的Stokes发射光谱和980nm激发下的上转换发光光谱。在可见光范围内,观察到了绿光和红光,绿光从500-570nm,对应Er^3+的^2H11/2,^4S3/2→^4I15/2,红光从650~690m,对应Er^3+的^4F9/2→^4I15/2的跃迁。由ln Ivis-In Iin曲线可知,绿光和红光均为双光子过程,光强正比于泵浦功率的二次方,即Iout ∝Iin。初步研究了此材料的上转换过程。 相似文献