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A decision support system for interactive decision making - Part II: analysis and output interpretation 总被引:2,自引:0,他引:2
Liping Fang K.W. Hipel D.M. Kilgour Xiaoyong Peng 《IEEE transactions on systems, man and cybernetics. Part C, Applications and reviews》2003,33(1):56-66
For pt.I see ibid., p.42-55 (2003). The development of a comprehensive decision support system, GMCR II, for the systematic study of real-world interactive decision problems is presented. The companion paper (Part I), discusses how GMCR II elicits, stores, and manages conflict models; here (Part II), the focus is on GMCR IIs analysis and output interpretation subsystems. Specifically, this paper describes the powerful and efficient analysis engine contained in GMCR II, its informative output presentation and interpretation facilities, and a number of follow-up analyses. Furthermore, an illustrative case study is used to demonstrate how GMCR II can be conveniently applied in practice. 相似文献
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Ji-Dong Lou Chun-Ling Gao Li Li Zhi-Gang Fang 《Monatshefte für Chemie / Chemical Monthly》2006,41(10):1071-1074
A new procedure for the selective oxidation of alcohols to the corresponding aldehydes and ketones with potassium permanganate
supported on aluminum silicate at room temperature under solvent-free conditions and shaking is reported. 相似文献
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对三网互联的几个关键技术进行分析与研究,介绍利用IP技术解决有线电视网地址选择问题,探讨怎样将ATM技术与IP技术相互融合,使真正的信息高速公路成为现实,阐述利用H.323标准全面解决视频网络方案。 相似文献
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Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
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双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献