As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响

在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm     

SHFE与LME期铜价格关系实证研究

本文介绍了Granger引导关系模型,并利用这个模型对伦敦金属交易所(LME)三个月期铜和上海期货交易所(SHFE)五个月期铜进行了价格引导关系检验。检验结果显示,伦敦金属交易所三个月期铜价格滞后引导上海期货交易所五个月期铜价格,但是上海期货交易所对伦敦金属交易所的期铜价格不具有滞后价格引导关系。     

NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为

NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感，因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体／银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位，这为银离子提供了一定的溶解度，因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度，从而在烧结过程中起到助烧剂的作用，促进致密化过程，提高烧结体的密度和磁导率；另一方面，银促使铁氧体中的铜在晶界处析出，导致晶界处应力，使磁导率降低，晶粒生长也被一定程度地抑制。     

自动交换光网络的信令控制方式研究

自动交换光网络是一种能够自动完成网络连接的新型网络。他由控制面、传送面和管理面3个平面组成，控制面技术是其核心，利用控制面能够实施动态交换。本文在研究分析已有的光网络信令控制方式的基础上，提出了一种混合信令控制方式，他具有更好的性能和信令控制能力，适合ASON的信令网和控制面要求。     

Syntheses and Structures of Sil abridged Hafnocene Dichlorides

The present paper covers three silabridged hafnocene dichlorides(1, 2 and 3) prepared by sequential reactions of α, ω-dichloropermethyl polysilane with cyclopentadienyl sodium, n-butyl lithium and hafnium tetrachloride. Their structures were characterized by elemental analyses, UV, 1H(13C) NMR and MS. Furthermore the crystal and molecular structures of 1 and 2 were determined by X-ray diffraction method. The crystal of 1 is monoclinic, space group C2/c with a=1. 3401(4), b=0. 9977(3), c = 1. 0922(4) nm; β=94. 07(1)° V=3. 6342 nm3, Z = 2, Dc = 2.155 g·cm-3. The final deviation factor R = 0. 064. The crystal of 2 is monoclinic, space group P21/c with a=0.0847(1), b=1.5181(1), c=2.9824(2) nm; β= 94. 07(1)°? V=3.634 nm3; Dc= l. 805 g·cm-3. The final deviation factor R = 0. 033. The relationship between the silabridged structure and spectral properties is also discussed.     

用于泵浦固体激光器的激光二极管线阵的输出特性

从实验上测量了激光二极管线阵的输出特性,研究了温度、电流对输出功率、光谱特性,以及偏振特性的影响,为设计全固态激光器提供有益的参考。     

红外警戒系统作战环境的计算机仿真

文中论述了红外警戒系统视景仿真研究的主要内容，给出了仿真软件流程。探讨了满足红外警戒系统全方位、多目标视景生成的实时性方法。     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

模块化蓝光光存储性能静态测试系统

蓝光光存储是信息存储领域发展的一个重要方向。测试系统是研究蓝光光存储材料的必备条件，为建立蓝光光存储研究平台，设计和搭建了一套模块化蓝光光存储性能静态测试系统。激光工作波长为406．7nm。系统采用调制解调技术降低系统噪声，提高测量粘度：采用光点移动模式降低对样品尺寸的要求；采用纳米平台提高记录点的反复定位性能。实验结果证明测试系统性能良好，可以满足蓝光光存储性能静态测试要求。