基于身份的多方认证组密钥协商协议

2002年,Boneh和Silverberg提出了多线性表理论和基于多线性表的多方Diffe-Hellman密钥交换协议,H.K.Lee等人在该协议基础上利用证书对参与者进行身份认证,解决了该协议容易遭受中间人攻击的问题,H.M.Lee等人进一步引入基于身份的公钥密码技术替代数字证书,提高了密钥协商的效率,形成了ID-MAK协议.在本文中,我们对ID-MAK协议进行了安全性分析,发现ID-MAK协议没有真正实现它所宣称的身份认证,不能抵御主动攻击,敌手可冒充任意合法成员参与到密钥协商中获取组密钥.本文在计算多线性D-H问题假设下提出了两个ID-MAK协议改进方案,两个改进协议只需一轮即可协商一个组密钥,本文还给出了相应的成员动态变化和组密钥更新协议.本文最后对我们改进的协议进行了安全性分析.     

氯霉素分子印迹聚合物的合成及应用

研究了氯霉素分子印迹聚合物的热聚合方法及最佳合成条件。应用扫描电子显微镜对氯霉素分子印迹聚合物的表面结构进行表征。研究了模板分子与功能单体比例对聚合物吸附性能的影响。将氯霉素分子印迹聚合物作为固相萃取填料制成固相萃取柱,并用含痕量氯霉素的牛乳考察此柱对氯霉素的选择吸附性,结果表明吸附率达94．7％,最大吸附量为4670μg／g。     

微型固相萃取柱结合胃袋式大体积进样-气相色谱-质谱法对食品中205种农药残留快速测定研究

分别选取菠菜、洋白菜、苹果、大米和大豆5种基质,利用微型固相萃取柱对样品进行前处理,采用胃袋式大体积进样技术结合气相色谱-质谱(GC-MS),建立了同时测定日本通关检测项目要求的205种农药残留的快速分析方法.通过增加进样量提高检测灵敏度,通过减少样品处理量缩短前处理时间,以保留时间和特征离子丰度比进行定性,以特征离子强度进行定量.该方法与日本通知法进行了比对,结果表明两种方法净化效果、检出限、回收率和RSD等指标水平相当,平均回收率在80%～120%之间,RSD(n=7)小于10%,满足残留分析方法的要求.     

硅微粉氧化性质研究

考察了硅微粉在空气、水、聚乙二醇(PEG)以及PEG水溶液几种介质中的氧化行为,并分析比较了两种不同切割过程所产生的硅微粉屑的氧化情况。结果显示:200℃下干燥空气中硅微粉不发生明显氧化;在高于80℃的水中放置10d,硅微粉发生明显氧化,形成非晶SiO2。与水及水溶液相比,PEG能在一定程度上阻止硅微粉的氧化。另外,带锯切割中产生的硅微粉屑氧化严重,而多线切割中产生的硅微粉切屑无明显氧化。     

佩兰挥发性化学成分的固相微萃取研究

采用固相微萃取-气相色谱-质谱法分析佩兰中挥发性化学成分,共分离出84个组分,并鉴定了67个组分,用归一化法测定其质量分数,占总挥发性组分峰面积的98.05%。主要成分是对-伞花烃(5.19%)、芳樟醇(3.72%)、β-石竹烯(12.35%)、α-律草烯(13.39%)、α-姜黄烯(2.11%)、(-)-石竹烯氧化物(8.25%)、. /-.-4-乙酰基-1-甲基环己烯(8.91%)。     

A high-precision and 10 bit two-step Time-to-Digital Converter for TOF application

A two-step high-precision Time-to-Digital Converter(TDC), integrated with a Single-Photon Avalanche Diode(SPAD), used for Time-Of-Flight(TOF) application, has been developed and tested. Time interval measurement is performed by the coarse counter and fine interpolator, which are utilized to measure the total periods and the residue time of the reference clock, respectively. Following a detail analysis of time precision and clock jitter in the two-step structure, the prototype TDC fabricated in GSMC 1P6M 0.18 μm CMOS Image Sensor(CIS) technology exhibits a Single-Shot Precision(SSP) of 11.415 ps and a dynamic range of 216.7 ns. In addition, a pixel of the chip occupies 100 μm×100 μm, and the measured Integral Nonlinearity(INL) and Differential Nonlinearity(DNL) are better than ±0.88 LSB and ±0.67 LSB, respectively. Meanwhile, the overall power consumption of the chip is 35 mW at 1.8 V power supply. Combined with these characteristics, the designed chip is suitable for TOF-based ranging applications.     

多层前向感知机汉语孤立数码语音识别

本文从模板匹配的角度研究了多层前向感知机（ＭＬＰ）在汉语孤立数目字语音识别中的应用,针对训练样本数受限的情况提出了新的训练方法,研究了语音固化、特征提取、学习算法和策略诸方面问题。对特定人和非特定人汉语孤立数目字语音识别分别达至了９５．７％和９３．０％（无拒识）的识别率。     

Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。     

G．723．1在基于DSP数字对讲机基带系统中应用

实现了G．723．1语音压缩编码在数字对讲机基带系统的应用。其创新在于充分利用了DSP的处理能力以及CPLD硬件上的高速、高集成度和可编程性进行硬件电路设计,在对讲机频带和DSP资源有限的条件下,对G．723．1的定点C代码进行深度优化,最终在实际电路上,收端可以播放出发端传来的实时、连续和清晰的语音。     

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。